Renesas Electronics America RJK2009DPM-00#T0

RJK2009DPM-00#T0
제조업체 부품 번호
RJK2009DPM-00#T0
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
간단한 설명
MOSFET N-CH 200V 40A TO3PFM
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내부 부품 번호EIS-RJK2009DPM-00#T0
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서RJK2009DPM Datasheet
특정유해물질규제지침(RoHS) 정보RoHS Compliance
EDA/CAD 모델 Accelerated Designs에서 다운로드
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체Renesas Electronics America
계열-
포장튜브
부품 현황유효
FET 유형MOSFET N-Chan, 금속 산화물
FET 특징표준
드레인 - 소스 전압(Vdss)200V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C40A(Ta)
Rds On(최대) @ Id, Vgs36m옴 @ 20A, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)-
게이트 전하(Qg) @ Vgs72nC(10V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds2900pF @ 25V
전력 - 최대60W
작동 온도-
실장 유형스루홀
패키지/케이스TO-3PFM, SC-93-3
공급 장치 패키지TO-3PFM
표준 포장 1
무게0.001 KG
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대체 부품 (교체)RJK2009DPM-00#T0
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