홈 » 제품 카테고리 » 이산 소자 반도체 제품 » FET - 단일 » RJK1555DPA-00#J0

Renesas Electronics America RJK1555DPA-00#J0

RJK1555DPA-00#J0
제조업체 부품 번호
RJK1555DPA-00#J0
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
간단한 설명
MOSFET N-CH 150V W-PAK
데이터 시트 다운로드
다운로드
RJK1555DPA-00#J0 가격 및 조달

가능 수량

8550 조각

배송 오늘

창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주

시장 가격
₩ 1,671.99960
우리의 가격
이메일로 견적

수량

 

EIS에는 RJK1555DPA-00#J0 재고가 있습니다. 우리는 Renesas Electronics America 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 Renesas Electronics America 전자 부품 전문. RJK1555DPA-00#J0 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. RJK1555DPA-00#J0가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
RJK1555DPA-00#J0 주문 프로세스
문의 양식에 추가
견적 요청
우리는 24 시간 이내에 회신
당신은 순서를 확인
지불
주문 발송
RJK1555DPA-00#J0 매개 변수
내부 부품 번호EIS-RJK1555DPA-00#J0
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서RJK1555DPA
특정유해물질규제지침(RoHS) 정보RoHS Compliance
EDA/CAD 모델 Accelerated Designs에서 다운로드
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체Renesas Electronics America
계열-
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
FET 유형MOSFET N-Chan, 금속 산화물
FET 특징표준
드레인 - 소스 전압(Vdss)150V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C25A(Ta)
Rds On(최대) @ Id, Vgs48m옴 @ 12.5A, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)-
게이트 전하(Qg) @ Vgs38nC(10V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds2400pF @ 25V
전력 - 최대30W
작동 온도150°C(TJ)
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스8-전력WDFN
공급 장치 패키지8-WPAK
표준 포장 2,500
다른 이름RJK1555DPA-00#J0-ND
RJK1555DPA-00#J0TR
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)RJK1555DPA-00#J0
관련 링크RJK1555DP, RJK1555DPA-00#J0 데이터 시트, Renesas Electronics America 에이전트 유통
RJK1555DPA-00#J0 의 관련 제품
FUSE BUSS SEMI CONDUCTOR FWP-250.pdf
27MHz ±15ppm 수정 18pF 200옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) 402F270XXCDR.pdf
TAJA104M035RNJ AVX SMD or Through Hole TAJA104M035RNJ.pdf
MC14538L MOTOROLA DIP MC14538L.pdf
X01-00590-01 TEMIC SOP32 X01-00590-01.pdf
LTC1053CS/CSW LT SOP LTC1053CS/CSW.pdf
PTZ33B-TP MCC SMA PTZ33B-TP.pdf
PMEFG1020EA PHILIPS SMD or Through Hole PMEFG1020EA.pdf
39980-0405 MOLEX SMD or Through Hole 39980-0405.pdf
EEFSX0D331SE PANASONIC SMD EEFSX0D331SE.pdf