창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-RJK1051DPB-00#J5 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | RJK1051DPB | |
PCN 단종/ EOL | Multiple Devices 15/Aug/2013 | |
PCN 조립/원산지 | Wafer Fabrication Site Change 02/Oct/2013 | |
EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Renesas Electronics America | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트, 4.5V 구동 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 15A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 39m옴 @ 7.5A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | - | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 15nC(4.5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2060pF @ 10V | |
전력 - 최대 | 45W | |
작동 온도 | 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | SC-100, SOT-669 | |
공급 장치 패키지 | LFPAK | |
표준 포장 | 2,500 | |
다른 이름 | RJK1051DPB-00#J5-ND RJK1051DPB-00#J5TR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | RJK1051DPB-00#J5 | |
관련 링크 | RJK1051DP, RJK1051DPB-00#J5 데이터 시트, Renesas Electronics America 에이전트 유통 |
![]() | 100UF6.3V/C | 100UF6.3V/C NEC SMD | 100UF6.3V/C.pdf | |
![]() | LM1815 | LM1815 NS DIP | LM1815.pdf | |
![]() | 3225/4.7uh | 3225/4.7uh ORIGINAL SMD or Through Hole | 3225/4.7uh.pdf | |
![]() | P230CH02D2K0 | P230CH02D2K0 WESTCODE Module | P230CH02D2K0.pdf | |
![]() | VT 47UF 35V M | VT 47UF 35V M ZTJ 6.3 7.7 | VT 47UF 35V M.pdf | |
![]() | IN4763 | IN4763 ST DIPSMD | IN4763.pdf | |
![]() | 02-787B3-53BKA-T | 02-787B3-53BKA-T N/A STOCK | 02-787B3-53BKA-T.pdf | |
![]() | 71V424L10PHG8 | 71V424L10PHG8 IDT SMD or Through Hole | 71V424L10PHG8.pdf | |
![]() | I2032VE-200LT48 | I2032VE-200LT48 LATTICE SMD or Through Hole | I2032VE-200LT48.pdf | |
![]() | SY2BP00-ACF-RC | SY2BP00-ACF-RC SYNERGY QFP | SY2BP00-ACF-RC.pdf | |
![]() | NAGP1250BA-0 | NAGP1250BA-0 Futaba SMD or Through Hole | NAGP1250BA-0.pdf | |
![]() | EKZM500ELL221MJ16S | EKZM500ELL221MJ16S NIPPON DIP | EKZM500ELL221MJ16S.pdf |