창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-RJK1003DPP-E0#T2 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | RJK1003DPP-E0#T2 | |
PCN 조립/원산지 | Wafer Fabrication Site Change 02/Oct/2013 | |
EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Renesas Electronics America | |
계열 | - | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 50A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 11m옴 @ 25A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | - | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 59nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 4150pF @ 10V | |
전력 - 최대 | 25W | |
작동 온도 | 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 풀팩(Full Pack) | |
공급 장치 패키지 | TO-220FP | |
표준 포장 | 1 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | RJK1003DPP-E0#T2 | |
관련 링크 | RJK1003DP, RJK1003DPP-E0#T2 데이터 시트, Renesas Electronics America 에이전트 유통 |
![]() | CR5RL-500 | TRANSFORMER CURRENT COMMERCIAL | CR5RL-500.pdf | |
![]() | G3CN-DX02P1-DC3-28 | Solid State Relay SPST-NO (1 Form A) Module | G3CN-DX02P1-DC3-28.pdf | |
![]() | MFR-25FRF52-39R2 | RES 39.2 OHM 1/4W 1% AXIAL | MFR-25FRF52-39R2.pdf | |
![]() | B72650M950K72 | B72650M950K72 EPCOS SMD or Through Hole | B72650M950K72.pdf | |
![]() | GAL16V8A-10LD/883 | GAL16V8A-10LD/883 LATTICE DIP | GAL16V8A-10LD/883.pdf | |
![]() | 22UF 50V 6X7 | 22UF 50V 6X7 ORIGINAL SMD or Through Hole | 22UF 50V 6X7.pdf | |
![]() | FS8804-33CX | FS8804-33CX ORIGINAL SOT-89 | FS8804-33CX.pdf | |
![]() | S6B0741X0-49XN | S6B0741X0-49XN SAMSUNG SMD or Through Hole | S6B0741X0-49XN.pdf | |
![]() | TG57-S010NX | TG57-S010NX HAL SMD or Through Hole | TG57-S010NX.pdf | |
![]() | SST31LF040-45-4C-WH | SST31LF040-45-4C-WH SST SMD or Through Hole | SST31LF040-45-4C-WH.pdf | |
![]() | LS32-B | LS32-B LS DIP | LS32-B.pdf |