창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-RJK1002DPP-E0#T2 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | RJK1002DPP-E0#T2 | |
| PCN 조립/원산지 | Wafer Fabrication Site Change 02/Oct/2013 | |
| EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Renesas Electronics America | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 70A(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 7.6m옴 @ 35A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | - | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 94nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 6450pF @ 10V | |
| 전력 - 최대 | 30W | |
| 작동 온도 | 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 풀팩(Full Pack) | |
| 공급 장치 패키지 | TO-220FP | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | RJK1002DPP-E0#T2 | |
| 관련 링크 | RJK1002DP, RJK1002DPP-E0#T2 데이터 시트, Renesas Electronics America 에이전트 유통 | |
![]() | VJ0805D100GXBAJ | 10pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | VJ0805D100GXBAJ.pdf | |
![]() | 230-512 | 230-512 EDAC/WSI SMD or Through Hole | 230-512.pdf | |
![]() | 0603AS-018G-01 | 0603AS-018G-01 FASTRON SMD or Through Hole | 0603AS-018G-01.pdf | |
![]() | 27C1001-12F6 | 27C1001-12F6 ST DIP | 27C1001-12F6.pdf | |
![]() | SU24S05 | SU24S05 WALL SIP4 | SU24S05.pdf | |
![]() | GH07P28F1C | GH07P28F1C SHARP TO | GH07P28F1C.pdf | |
![]() | UPD6124CA | UPD6124CA NEC SMD or Through Hole | UPD6124CA.pdf | |
![]() | C3PDB175N16 | C3PDB175N16 ORIGINAL SMD or Through Hole | C3PDB175N16.pdf | |
![]() | RA2-35V330ME3 | RA2-35V330ME3 ELNA DIP | RA2-35V330ME3.pdf | |
![]() | FH3-DSA | FH3-DSA HRS ZIP6P | FH3-DSA.pdf | |
![]() | TAJD226M020RTX | TAJD226M020RTX AVX D7343 | TAJD226M020RTX.pdf | |
![]() | MT8972CE | MT8972CE MITEL PLCC | MT8972CE.pdf |