창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-RJK0653DPB-00#J5 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | RJK0653DPB | |
PCN 단종/ EOL | Multiple Devices 15/Aug/2013 | |
PCN 조립/원산지 | Wafer Fabrication Site Change 02/Oct/2013 Power Transistors Relocation 12/Nov/2013 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Renesas Electronics America | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트, 4.5V 구동 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 45A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 4.8m옴 @ 22.5A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.5V @ 1mA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 42nC(4.5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 6100pF @ 10V | |
전력 - 최대 | 65W | |
작동 온도 | 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | SC-100, SOT-669 | |
공급 장치 패키지 | LFPAK | |
표준 포장 | 2,500 | |
다른 이름 | RJK0653DPB-00#J5-ND RJK0653DPB-00#J5TR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | RJK0653DPB-00#J5 | |
관련 링크 | RJK0653DP, RJK0653DPB-00#J5 데이터 시트, Renesas Electronics America 에이전트 유통 |
![]() | 9C12000083 | 12MHz ±20ppm 수정 30pF -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) HC49/US | 9C12000083.pdf | |
![]() | TAJA105K016R | TAJA105K016R AVX A 1UF 16V | TAJA105K016R.pdf | |
![]() | D481002 | D481002 NEC DIP | D481002.pdf | |
![]() | 812842-000 | 812842-000 RAYCHEM SMD or Through Hole | 812842-000.pdf | |
![]() | DS3632H | DS3632H NSC CAN8 | DS3632H.pdf | |
![]() | KCO-010T-10.000MHZ | KCO-010T-10.000MHZ KOYO DIP | KCO-010T-10.000MHZ.pdf | |
![]() | GMZJ 7.5C | GMZJ 7.5C PANJIT MICRO-MELF | GMZJ 7.5C.pdf | |
![]() | 2SK1516-E | 2SK1516-E RENESAS SMD or Through Hole | 2SK1516-E.pdf | |
![]() | SB-003-1 | SB-003-1 NEC QFP | SB-003-1.pdf | |
![]() | 350P12S | 350P12S NEC SMD or Through Hole | 350P12S.pdf | |
![]() | 74LVC00ADT(SOP14) | 74LVC00ADT(SOP14) PHILIPS/NXP SMD or Through Hole | 74LVC00ADT(SOP14).pdf | |
![]() | MS3H38.880MHZ | MS3H38.880MHZ CTS SMD or Through Hole | MS3H38.880MHZ.pdf |