창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-RJK0602DPN-E0#T2 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | RJK0602DPN-E0#T2 | |
PCN 조립/원산지 | Wafer Fabrication Site Change 02/Oct/2013 | |
EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Renesas Electronics America | |
계열 | - | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 110A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 3.9m옴 @ 50A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | - | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 90nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 6450pF @ 10V | |
전력 - 최대 | 150W | |
작동 온도 | 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-220AB | |
표준 포장 | 1 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | RJK0602DPN-E0#T2 | |
관련 링크 | RJK0602DP, RJK0602DPN-E0#T2 데이터 시트, Renesas Electronics America 에이전트 유통 |
![]() | P25-E5019-1 | CONTACTORS | P25-E5019-1.pdf | |
![]() | GAL26VC12B 15LJ | GAL26VC12B 15LJ LATTICE PLCC | GAL26VC12B 15LJ.pdf | |
![]() | G3VM-353D1 | G3VM-353D1 OMRON SMD or Through Hole | G3VM-353D1.pdf | |
![]() | CKR11BX472KR | CKR11BX472KR AVX Axial | CKR11BX472KR.pdf | |
![]() | LE82BWGR QL95 | LE82BWGR QL95 INTEL BGA | LE82BWGR QL95.pdf | |
![]() | L6562SD | L6562SD ST SOP8 | L6562SD.pdf | |
![]() | 76RSB02S | 76RSB02S GRAYHILL ORIGINAL | 76RSB02S.pdf | |
![]() | GPDS200A-055A-PL081 | GPDS200A-055A-PL081 ORIGINAL LQFP1 | GPDS200A-055A-PL081.pdf | |
![]() | TDA8260TW/C1/M1 | TDA8260TW/C1/M1 PHI TSOP-5.2-48P | TDA8260TW/C1/M1.pdf | |
![]() | W246410L | W246410L winbond SMD or Through Hole | W246410L.pdf | |
![]() | FA-248 12.000MHZ | FA-248 12.000MHZ EPSON SMD-DIP | FA-248 12.000MHZ.pdf | |
![]() | V275LA20AX1466 | V275LA20AX1466 HARRIS ORIGINAL | V275LA20AX1466.pdf |