창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-RJK03M1DPA-00#J5A | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | RJK03M1DPA-00#J5A | |
EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Renesas Electronics America | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트, 4.5V 구동 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 50A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 2.3m옴 @ 25A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | - | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 25nC(4.5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 4720pF @ 10V | |
전력 - 최대 | 45W | |
작동 온도 | 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-WFDFN 노출형 패드 | |
공급 장치 패키지 | 8-WPAK | |
표준 포장 | 3,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | RJK03M1DPA-00#J5A | |
관련 링크 | RJK03M1DPA, RJK03M1DPA-00#J5A 데이터 시트, Renesas Electronics America 에이전트 유통 |
VJ1812Y104KXPAT5Z | 0.10µF 250V 세라믹 커패시터 X7R 1812(4532 미터법) 0.177" L x 0.126" W(4.50mm x 3.20mm) | VJ1812Y104KXPAT5Z.pdf | ||
ECQ-E1106JF | 10µF Film Capacitor 100V Polyester, Metallized Radial 1.024" L x 0.453" W (26.00mm x 11.50mm) | ECQ-E1106JF.pdf | ||
MLP2016HR47MT0S1 | 470nH Shielded Multilayer Inductor 1.7A 68.75 mOhm Max 0806 (2016 Metric) | MLP2016HR47MT0S1.pdf | ||
T143-33.000MHZ/883B | T143-33.000MHZ/883B SIS DIP | T143-33.000MHZ/883B.pdf | ||
TUSB2036VFRG4 | TUSB2036VFRG4 TI QFP | TUSB2036VFRG4.pdf | ||
01MCRSA051B | 01MCRSA051B LGE QFP | 01MCRSA051B.pdf | ||
LYQ971-H1L2-36 | LYQ971-H1L2-36 OSRAM ROHS | LYQ971-H1L2-36.pdf | ||
LX1995-1-CSE | LX1995-1-CSE ORIGINAL SOT23-5 | LX1995-1-CSE.pdf | ||
E28F016SA-100-5.0V-150-3.3 | E28F016SA-100-5.0V-150-3.3 INTEL TSOP56P | E28F016SA-100-5.0V-150-3.3.pdf | ||
FM-1178LLF | FM-1178LLF FM DIP | FM-1178LLF.pdf | ||
NJM6701S | NJM6701S JRC 3.9mm | NJM6701S.pdf |