창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-RJK0355DSP-00#J0 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | RJK0355DSP | |
EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
카탈로그 페이지 | 1632 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Renesas Electronics America | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트, 4.5V 구동 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 12A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 11.1m옴 @ 6A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | - | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 6nC(4.5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 860pF @ 10V | |
전력 - 최대 | - | |
작동 온도 | 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) | |
공급 장치 패키지 | 8-SOP | |
표준 포장 | 2,500 | |
다른 이름 | RJK0355DSP-00#J0TR RJK0355DSP00J0 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | RJK0355DSP-00#J0 | |
관련 링크 | RJK0355DS, RJK0355DSP-00#J0 데이터 시트, Renesas Electronics America 에이전트 유통 |
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![]() | MC1207L | MC1207L MOT DIP | MC1207L.pdf | |
![]() | PCDR0628MT100 | PCDR0628MT100 Stackpole SMD | PCDR0628MT100.pdf | |
![]() | 02DZ18(18V) | 02DZ18(18V) TOSHIBA O805 | 02DZ18(18V).pdf | |
![]() | PKF4910ASI/B | PKF4910ASI/B ERICSSON SMD or Through Hole | PKF4910ASI/B.pdf | |
![]() | HYB18L256160BFX-7.5 | HYB18L256160BFX-7.5 INFINEON BGA | HYB18L256160BFX-7.5.pdf | |
![]() | HC205BP1D27000 | HC205BP1D27000 TEKA SMD or Through Hole | HC205BP1D27000.pdf | |
![]() | HIP6006ACB | HIP6006ACB INTERSIL SOP20 | HIP6006ACB.pdf | |
![]() | TC40H008 | TC40H008 TOS SMD or Through Hole | TC40H008.pdf |