창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-RJK0330DPB-01#J0 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | RJK0330DPB-01 | |
PCN 조립/원산지 | Power Transistors Relocation 12/Nov/2013 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Renesas Electronics America | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트, 4.5V 구동 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 45A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 2.7m옴 @ 22.5A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | - | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 27nC(4.5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 4300pF @ 10V | |
전력 - 최대 | 55W | |
작동 온도 | 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | SC-100, SOT-669 | |
공급 장치 패키지 | LFPAK | |
표준 포장 | 2,500 | |
다른 이름 | RJK0330DPB-01#J0TR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | RJK0330DPB-01#J0 | |
관련 링크 | RJK0330DP, RJK0330DPB-01#J0 데이터 시트, Renesas Electronics America 에이전트 유통 |
![]() | LQW15AN15NG00D | 15nH Unshielded Wirewound Inductor 460mA 160 mOhm Max 0402 (1005 Metric) | LQW15AN15NG00D.pdf | |
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![]() | AD8500ARZ | AD8500ARZ AD SO-8 | AD8500ARZ.pdf | |
![]() | IDT2305-1DCG+ | IDT2305-1DCG+ IDT SOP8 | IDT2305-1DCG+.pdf | |
![]() | TLE4258E-7-12 | TLE4258E-7-12 INFINEON SMD or Through Hole | TLE4258E-7-12.pdf | |
![]() | RN739F(XHZ) | RN739F(XHZ) ROHM SOT323 | RN739F(XHZ).pdf |