창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-RJK0305DPB-02#J0 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Compliance | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Renesas Electronics America | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트, 4.5V 구동 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 30A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 8m옴 @ 15A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | - | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 8nC(4.5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1250pF @ 10V | |
전력 - 최대 | 45W | |
작동 온도 | - | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | SC-100, SOT-669 | |
공급 장치 패키지 | LFPAK | |
표준 포장 | 2,500 | |
다른 이름 | RJK0305DPB-02#J0-ND RJK0305DPB-02#J0TR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | RJK0305DPB-02#J0 | |
관련 링크 | RJK0305DP, RJK0305DPB-02#J0 데이터 시트, Renesas Electronics America 에이전트 유통 |
![]() | 403I35E24M00000 | 24MHz ±30ppm 수정 20pF 60옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 403I35E24M00000.pdf | |
![]() | BUK455200A | BUK455200A PH TO | BUK455200A.pdf | |
![]() | TMP87CM38N-1N86 | TMP87CM38N-1N86 TOSHIBA DIP | TMP87CM38N-1N86.pdf | |
![]() | 2687165711157TH | 2687165711157TH m 20tube | 2687165711157TH.pdf | |
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![]() | 1N4751ATR (ASTEC) | 1N4751ATR (ASTEC) FCS SMD or Through Hole | 1N4751ATR (ASTEC).pdf | |
![]() | AP3403H | AP3403H APEC TO-252 | AP3403H .pdf | |
![]() | BB1A4AT | BB1A4AT NEC TO-92 | BB1A4AT.pdf | |
![]() | 2U3836L30QDBVRG4Q1 | 2U3836L30QDBVRG4Q1 TI SOT23-5 | 2U3836L30QDBVRG4Q1.pdf | |
![]() | AD7863ARS-2/3/10 | AD7863ARS-2/3/10 AD SMD or Through Hole | AD7863ARS-2/3/10.pdf | |
![]() | GRM40X7R472K50C500(GRM216R71H472KA01D) | GRM40X7R472K50C500(GRM216R71H472KA01D) MURATA SMD or Through Hole | GRM40X7R472K50C500(GRM216R71H472KA01D).pdf |