창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-RJH60F7DPQ-A0#T0 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | RJH60F7DPQ-A0 | |
특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Compliance | |
EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | IGBT - 단일 | |
제조업체 | Renesas Electronics America | |
계열 | - | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
IGBT 유형 | Trench | |
전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 600V | |
전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 90A | |
전류 - 콜렉터 펄스(Icm) | - | |
Vce(on)(최대) @ Vge, Ic | 1.75V @ 15V, 50A | |
전력 - 최대 | 328.9W | |
스위칭 에너지 | - | |
입력 유형 | 표준 | |
게이트 전하 | - | |
Td(온/오프) @ 25°C | 63ns/142ns | |
테스트 조건 | 400V, 30A, 5옴, 15V | |
역회복 시간(trr) | 90ns | |
패키지/케이스 | TO-247-3 | |
실장 유형 | 스루홀 | |
공급 장치 패키지 | TO-247A | |
표준 포장 | 1 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | RJH60F7DPQ-A0#T0 | |
관련 링크 | RJH60F7DP, RJH60F7DPQ-A0#T0 데이터 시트, Renesas Electronics America 에이전트 유통 |
![]() | RHEL81H102K1DBA03A | 1000pF 50V 세라믹 커패시터 X8L 방사 0.157" L x 0.098" W(4.00mm x 2.50mm) | RHEL81H102K1DBA03A.pdf | |
![]() | SM24T1G | TVS DIODE 24VWM 43VC SOT23 | SM24T1G.pdf | |
![]() | 445I32J20M00000 | 20MHz ±30ppm 수정 9pF 40옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 2-SMD | 445I32J20M00000.pdf | |
![]() | LELEMF3225T3R3M-P | LELEMF3225T3R3M-P TAIYO LEAD-FREE | LELEMF3225T3R3M-P.pdf | |
![]() | AM9080APC | AM9080APC AMD DIP 40 | AM9080APC.pdf | |
![]() | ADP3502ASU | ADP3502ASU AD LQFP | ADP3502ASU.pdf | |
![]() | M5-192/68-10VC/1 | M5-192/68-10VC/1 Lattice QFP100 | M5-192/68-10VC/1.pdf | |
![]() | M29W800DB-70N6E | M29W800DB-70N6E ST TSSOP | M29W800DB-70N6E.pdf | |
![]() | 223878015656- | 223878015656- PHYCOMP SMD | 223878015656-.pdf | |
![]() | STD1NC70 | STD1NC70 ST TO-252 | STD1NC70.pdf | |
![]() | TDB0156UTS | TDB0156UTS THOMSON CAN | TDB0156UTS.pdf | |
![]() | SKIIP22NAB063IT10 | SKIIP22NAB063IT10 EUPEC SMD or Through Hole | SKIIP22NAB063IT10.pdf |