창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-RJH60D5BDPQ-E0#T2 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | RJH60D5BDPQ-E0 | |
EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | IGBT - 단일 | |
제조업체 | Renesas Electronics America | |
계열 | - | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
IGBT 유형 | Trench | |
전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 600V | |
전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 75A | |
전류 - 콜렉터 펄스(Icm) | - | |
Vce(on)(최대) @ Vge, Ic | 2.2V @ 15V, 37A | |
전력 - 최대 | 200W | |
스위칭 에너지 | 400µJ(켜기), 810µJ(끄기) | |
입력 유형 | 표준 | |
게이트 전하 | 78nC | |
Td(온/오프) @ 25°C | 50ns/130ns | |
테스트 조건 | 300V, 37A, 5 옴, 15V | |
역회복 시간(trr) | 25ns | |
패키지/케이스 | TO-247-3 | |
실장 유형 | 스루홀 | |
공급 장치 패키지 | TO-247 | |
표준 포장 | 1 | |
다른 이름 | RJH60D5BDPQE0T2 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | RJH60D5BDPQ-E0#T2 | |
관련 링크 | RJH60D5BDP, RJH60D5BDPQ-E0#T2 데이터 시트, Renesas Electronics America 에이전트 유통 |
![]() | RT0603WRD076K19L | RES SMD 6.19K OHM 1/10W 0603 | RT0603WRD076K19L.pdf | |
![]() | RN73C1J1K69BTDF | RES SMD 1.69KOHM 0.1% 1/16W 0603 | RN73C1J1K69BTDF.pdf | |
![]() | 1N4148WSH | 1N4148WSH CYSTEK SOD-123 | 1N4148WSH.pdf | |
![]() | 47C634N-2427 | 47C634N-2427 TOSHIBA DIP | 47C634N-2427.pdf | |
![]() | LTM035A776C | LTM035A776C TOSHIBA SMD or Through Hole | LTM035A776C.pdf | |
![]() | 8253C-2 | 8253C-2 NEC DIP | 8253C-2.pdf | |
![]() | TOP115 | TOP115 TOP DIP8 | TOP115.pdf | |
![]() | IDT7132-LA100J | IDT7132-LA100J IDT PLCC52 | IDT7132-LA100J.pdf | |
![]() | TN23-2G300JP | TN23-2G300JP MITSUBISHI SMD or Through Hole | TN23-2G300JP.pdf | |
![]() | IRS25091S | IRS25091S IR 8 SOIC | IRS25091S.pdf | |
![]() | LT1761ES5-2.5(XHZ) | LT1761ES5-2.5(XHZ) LT SOT153 | LT1761ES5-2.5(XHZ).pdf | |
![]() | TEN30-2423 | TEN30-2423 TRACOPQWE SMD or Through Hole | TEN30-2423.pdf |