창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-RJH60D3DPP-M0#T2 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | RJH60D3DPP-M0 | |
EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | IGBT - 단일 | |
제조업체 | Renesas Electronics America | |
계열 | - | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
IGBT 유형 | Trench | |
전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 600V | |
전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 35A | |
전류 - 콜렉터 펄스(Icm) | - | |
Vce(on)(최대) @ Vge, Ic | 2.2V @ 15V, 17A | |
전력 - 최대 | 40W | |
스위칭 에너지 | 200µJ(켜기), 210µJ(끄기) | |
입력 유형 | 표준 | |
게이트 전하 | 37nC | |
Td(온/오프) @ 25°C | 35ns/80ns | |
테스트 조건 | 300V, 17A, 5 옴, 15V | |
역회복 시간(trr) | 100ns | |
패키지/케이스 | TO-220-3 풀팩(Full Pack) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
공급 장치 패키지 | TO-220FL | |
표준 포장 | 1 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | RJH60D3DPP-M0#T2 | |
관련 링크 | RJH60D3DP, RJH60D3DPP-M0#T2 데이터 시트, Renesas Electronics America 에이전트 유통 |
![]() | BLM21BB750SN1D | 75 Ohm Impedance Ferrite Bead 0805 (2012 Metric) Surface Mount Signal Line 700mA 1 Lines 160 mOhm Max DCR -55°C ~ 125°C | BLM21BB750SN1D.pdf | |
![]() | 1210R-183F | 18µH Unshielded Inductor 237mA 3.3 Ohm Max 2-SMD | 1210R-183F.pdf | |
![]() | PEF22554E V2.1-G | PEF22554E V2.1-G Infineon NA | PEF22554E V2.1-G.pdf | |
![]() | 350LSQ4700M77X101 | 350LSQ4700M77X101 RUBYCON DIP | 350LSQ4700M77X101.pdf | |
![]() | H2N205ECP | H2N205ECP ORIGINAL DIP | H2N205ECP.pdf | |
![]() | 25F020LE | 25F020LE SAIFUN SOP-8 | 25F020LE.pdf | |
![]() | CM06EA20-27S | CM06EA20-27S HIRSCHMANN SMD or Through Hole | CM06EA20-27S.pdf | |
![]() | DK100C5 | DK100C5 LEM SMD or Through Hole | DK100C5.pdf | |
![]() | XCARD XK-1A | XCARD XK-1A XMOS EVALBOARD | XCARD XK-1A.pdf | |
![]() | ADM669AN | ADM669AN AD DIP8 | ADM669AN.pdf | |
![]() | SFW8R-3STAE1LF | SFW8R-3STAE1LF FCI SMD or Through Hole | SFW8R-3STAE1LF.pdf |