창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-RJH60D2DPE-00#J3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | RJH60D2DPE | |
EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | IGBT - 단일 | |
제조업체 | Renesas Electronics America | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
IGBT 유형 | Trench | |
전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 600V | |
전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 25A | |
전류 - 콜렉터 펄스(Icm) | - | |
Vce(on)(최대) @ Vge, Ic | 2.2V @ 15V, 12A | |
전력 - 최대 | 63W | |
스위칭 에너지 | 100µJ(켜기), 160µJ(끄기) | |
입력 유형 | 표준 | |
게이트 전하 | 19nC | |
Td(온/오프) @ 25°C | 32ns/85ns | |
테스트 조건 | 300V, 12A, 5 옴, 15V | |
역회복 시간(trr) | 100ns | |
패키지/케이스 | SC-83 | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
공급 장치 패키지 | 4-LDPAK | |
표준 포장 | 1,000 | |
다른 이름 | RJH60D2DPE-00#J3TR RJH60D2DPE00J3 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | RJH60D2DPE-00#J3 | |
관련 링크 | RJH60D2DP, RJH60D2DPE-00#J3 데이터 시트, Renesas Electronics America 에이전트 유통 |
402F36011CKT | 36MHz ±10ppm 수정 8pF 100옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 402F36011CKT.pdf | ||
RT2512CKB0715R8L | RES SMD 15.8 OHM 0.25% 3/4W 2512 | RT2512CKB0715R8L.pdf | ||
CLA57013MW | CLA57013MW GPS LCC68 | CLA57013MW.pdf | ||
KA8512B | KA8512B ORIGINAL SMD | KA8512B.pdf | ||
UPD78F0828BGCA-GAD-AX | UPD78F0828BGCA-GAD-AX RENESAS SMD or Through Hole | UPD78F0828BGCA-GAD-AX.pdf | ||
SMTPA200A | SMTPA200A ST SMD or Through Hole | SMTPA200A.pdf | ||
1/8W/5E6/J/0805/A | 1/8W/5E6/J/0805/A UniOhm SMD or Through Hole | 1/8W/5E6/J/0805/A.pdf | ||
JW075C5 | JW075C5 LUCENT SMD or Through Hole | JW075C5.pdf | ||
RD20ES-AB2 | RD20ES-AB2 NEC SMD or Through Hole | RD20ES-AB2.pdf | ||
FV80503166SY059/2.8V | FV80503166SY059/2.8V INTEL PGA | FV80503166SY059/2.8V.pdf | ||
SP6691EK1-L/TR (LFP) | SP6691EK1-L/TR (LFP) EXAR SMD or Through Hole | SP6691EK1-L/TR (LFP).pdf | ||
P/N7795 | P/N7795 KEYSTONE SMD or Through Hole | P/N7795.pdf |