창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-RJH60D1DPP-M0#T2 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | RJH60D1DPP-M0 | |
EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | IGBT - 단일 | |
제조업체 | Renesas Electronics America | |
계열 | - | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
IGBT 유형 | Trench | |
전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 600V | |
전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 20A | |
전류 - 콜렉터 펄스(Icm) | - | |
Vce(on)(최대) @ Vge, Ic | 2.5V @ 15V, 10A | |
전력 - 최대 | 30W | |
스위칭 에너지 | 100µJ(켜기), 130µJ(끄기) | |
입력 유형 | 표준 | |
게이트 전하 | 13nC | |
Td(온/오프) @ 25°C | 30ns/42ns | |
테스트 조건 | 300V, 10A, 5 옴, 15V | |
역회복 시간(trr) | 70ns | |
패키지/케이스 | TO-220-3 풀팩(Full Pack) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
공급 장치 패키지 | TO-220FL | |
표준 포장 | 1 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | RJH60D1DPP-M0#T2 | |
관련 링크 | RJH60D1DP, RJH60D1DPP-M0#T2 데이터 시트, Renesas Electronics America 에이전트 유통 |
![]() | FA18C0G1H181JNU06 | 180pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 방사 0.157" L x 0.098" W(4.00mm x 2.50mm) | FA18C0G1H181JNU06.pdf | |
![]() | CMF60640K00BER6 | RES 640K OHM 1W 0.1% AXIAL | CMF60640K00BER6.pdf | |
![]() | HMC8120 | RF Amplifier IC 71GHz ~ 76GHz Die | HMC8120.pdf | |
![]() | TC77-3.3MOATR | SENSOR TEMPERATURE SPI 8SOIC | TC77-3.3MOATR.pdf | |
![]() | 41CB | 41CB AT&T DIP | 41CB.pdf | |
![]() | 25YXG5600M18X40 | 25YXG5600M18X40 ORIGINAL SMD or Through Hole | 25YXG5600M18X40.pdf | |
![]() | SO14L-C | SO14L-C ORIGINAL SOP14 | SO14L-C.pdf | |
![]() | 1812WBT1.5-2LB | 1812WBT1.5-2LB COILCRAFT SMD2 | 1812WBT1.5-2LB.pdf | |
![]() | SDC04G2CYB | SDC04G2CYB TOSHIBA SMD or Through Hole | SDC04G2CYB.pdf | |
![]() | 594D157X0010E2T | 594D157X0010E2T VISHAY SMD or Through Hole | 594D157X0010E2T.pdf | |
![]() | FH-032(ROHS) | FH-032(ROHS) EDK SMD or Through Hole | FH-032(ROHS).pdf |