창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-RJH60A85RDPE-00#J3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | RJH60A85RDPE | |
EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | IGBT - 단일 | |
제조업체 | Renesas Electronics America | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
IGBT 유형 | Trench | |
전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 600V | |
전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 30A | |
전류 - 콜렉터 펄스(Icm) | - | |
Vce(on)(최대) @ Vge, Ic | 1.8V @ 15V, 15A | |
전력 - 최대 | 113W | |
스위칭 에너지 | 430µJ(켜기), 300µJ(끄기) | |
입력 유형 | 표준 | |
게이트 전하 | 56nC | |
Td(온/오프) @ 25°C | 40ns/86ns | |
테스트 조건 | 300V, 15A, 5 옴, 15V | |
역회복 시간(trr) | 160ns | |
패키지/케이스 | SC-83 | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
공급 장치 패키지 | 4-LDPAK | |
표준 포장 | 1,000 | |
다른 이름 | RJH60A85RDPE-00#J3TR RJH60A85RDPE00J3 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | RJH60A85RDPE-00#J3 | |
관련 링크 | RJH60A85RD, RJH60A85RDPE-00#J3 데이터 시트, Renesas Electronics America 에이전트 유통 |
![]() | 9C07300012 | 7.3728MHz ±30ppm 수정 32pF -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) HC49/US | 9C07300012.pdf | |
![]() | RCL122593K1FKEG | RES SMD 93.1K OHM 2W 2512 WIDE | RCL122593K1FKEG.pdf | |
![]() | MC844PDS | MC844PDS MOT DIP | MC844PDS.pdf | |
![]() | ks-t1006w/p/c/10s-xx | ks-t1006w/p/c/10s-xx ORIGINAL SMD or Through Hole | ks-t1006w/p/c/10s-xx.pdf | |
![]() | IH188MJD/883 /HR | IH188MJD/883 /HR DIP INTERSIL | IH188MJD/883 /HR.pdf | |
![]() | 22-0000001-0 | 22-0000001-0 MURATA SOP | 22-0000001-0.pdf | |
![]() | DEBE33A103ZN2A | DEBE33A103ZN2A MURATA DIP | DEBE33A103ZN2A.pdf | |
![]() | SC16C754BIB80,557 | SC16C754BIB80,557 NXP SOT315 | SC16C754BIB80,557.pdf | |
![]() | LATB66C-2 | LATB66C-2 OSRAS SMD or Through Hole | LATB66C-2.pdf | |
![]() | T50MA(374)250V | T50MA(374)250V W SMD or Through Hole | T50MA(374)250V.pdf | |
![]() | MC78M08CDTRKG(78M08) | MC78M08CDTRKG(78M08) ON TO252 | MC78M08CDTRKG(78M08).pdf | |
![]() | 2EAM | 2EAM ORIGINAL SOT23-6 | 2EAM.pdf |