창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
| 내부 부품 번호 | EIS-RJB-35V181MG4 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 시리즈 | RJB-35V181MG4 | |
| EDA/CAD 모델 | - | |
| 종류 | 전자 부품 | |
| 공차 | - | |
| 풍모 | - | |
| 작동 온도 | - | |
| 정격 전압 | - | |
| 정격 전류 | - | |
| 최종 제품 | - | |
| 포장 종류 | DIP | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 대체 부품 (교체) | RJB-35V181MG4 | |
| 관련 링크 | RJB-35V, RJB-35V181MG4 데이터 시트, - 에이전트 유통 | |
![]() | VJ1206A100JBBAT4X | 10pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1206(3216 미터법) 0.132" L x 0.063" W(3.35mm x 1.60mm) | VJ1206A100JBBAT4X.pdf | |
![]() | D180J25C0GL6TJ5R | 18pF 500V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 방사형, 디스크 0.256" Dia(6.50mm) | D180J25C0GL6TJ5R.pdf | |
![]() | ST203C08CFJ | ST203C08CFJ IR SMD or Through Hole | ST203C08CFJ.pdf | |
![]() | K4M56323PI-HG750JR | K4M56323PI-HG750JR SAMSUNG SMD or Through Hole | K4M56323PI-HG750JR.pdf | |
![]() | S1G-T1-E3 | S1G-T1-E3 ORIGINAL SMA | S1G-T1-E3.pdf | |
![]() | 10P05 | 10P05 ORIGINAL TO-252 | 10P05.pdf | |
![]() | L-154A4SUREPBGVGC | L-154A4SUREPBGVGC KINGBRIGHT DIP | L-154A4SUREPBGVGC.pdf | |
![]() | RD2.4M-T2B | RD2.4M-T2B NEC SMD or Through Hole | RD2.4M-T2B.pdf | |
![]() | UPD66566S1-016-B6-E2 | UPD66566S1-016-B6-E2 NEC BGA | UPD66566S1-016-B6-E2.pdf | |
![]() | VI-JT3-EX | VI-JT3-EX ORIGINAL SMD or Through Hole | VI-JT3-EX.pdf | |
![]() | L8819 | L8819 ST CDIP28 | L8819.pdf | |
![]() | 172683-6 | 172683-6 AMP SMD or Through Hole | 172683-6.pdf |