Rohm Semiconductor RHU002N06T106

RHU002N06T106
제조업체 부품 번호
RHU002N06T106
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
간단한 설명
MOSFET N-CH 60V 200MA SOT-323
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내부 부품 번호EIS-RHU002N06T106
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서RHU002N06 Datasheet
제품 교육 모듈MOSFETs
주요제품MOSFET ECOMOS
카탈로그 페이지 1633 (KR2011-KO PDF)
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체Rohm Semiconductor
계열-
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
FET 유형MOSFET N-Chan, 금속 산화물
FET 특징논리 레벨 게이트, 4V 구동
드레인 - 소스 전압(Vdss)60V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C200mA(Ta)
Rds On(최대) @ Id, Vgs2.4옴 @ 200mA, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)-
게이트 전하(Qg) @ Vgs4.4nC(10V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds15pF @ 10V
전력 - 최대200mW
작동 온도150°C(TJ)
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스SC-70, SOT-323
공급 장치 패키지UMT3
표준 포장 3,000
다른 이름RHU002N06T106-ND
RHU002N06T106TR
무게0.001 KG
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대체 부품 (교체)RHU002N06T106
관련 링크RHU002N, RHU002N06T106 데이터 시트, Rohm Semiconductor 에이전트 유통
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