창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-RHS0E821MCN1GS | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | RHS, RHA Series Chip Type Tape Spec Aluminum Electrolytic Land, Reflow | |
| 제품 교육 모듈 | FPCAP Conductive Polymer Aluminum Capacitors Polymer Capacitors | |
| 카탈로그 페이지 | 1973 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 커패시터 | |
| 제품군 | 알루미늄 - 고분자 커패시터 | |
| 제조업체 | Nichicon | |
| 계열 | FPCAP, RHS | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 정전 용량 | 820µF | |
| 허용 오차 | ±20% | |
| 정격 전압 | 2.5V | |
| 등가 직렬 저항(ESR) | 9m옴 | |
| 수명 @ 온도 | 2000시간(105°C) | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 105°C | |
| 분극 | 극성 | |
| 응용 제품 | - | |
| 리플 전류 | 5.4A | |
| 임피던스 | - | |
| 리드 간격 | - | |
| 크기/치수 | 0.315" Dia(8.00mm) | |
| 높이 - 장착(최대) | 0.461"(11.70mm) | |
| 표면 실장 면적 크기 | 0.327" L x 0.327" W(8.30mm x 8.30mm) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 레이디얼, Can - SMD | |
| 표준 포장 | 500 | |
| 다른 이름 | 493-3759-2 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | RHS0E821MCN1GS | |
| 관련 링크 | RHS0E821, RHS0E821MCN1GS 데이터 시트, Nichicon 에이전트 유통 | |
| B41231A6338M | 3300µF 50V Aluminum Capacitors Radial, Can - Snap-In 2000 Hrs @ 85°C | B41231A6338M.pdf | ||
![]() | 445C33H13M00000 | 13MHz ±30ppm 수정 32pF 50옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 2-SMD | 445C33H13M00000.pdf | |
![]() | MBRB1050-E3/45 | DIODE SCHOTTKY 50V 10A TO263AB | MBRB1050-E3/45.pdf | |
![]() | CJT1000220RJJ | RES CHAS MNT 220 OHM 5% 1000W | CJT1000220RJJ.pdf | |
![]() | RMCF0603FT158K | RES SMD 158K OHM 1% 1/10W 0603 | RMCF0603FT158K.pdf | |
![]() | HIP2060 | HIP2060 HAS TO220-5 | HIP2060.pdf | |
![]() | PC1552DV | PC1552DV NSC PLCC | PC1552DV.pdf | |
![]() | CT2077-N | CT2077-N ORIGINAL TSMD | CT2077-N.pdf | |
![]() | AT27C020-90PC/PI | AT27C020-90PC/PI ATMEL DIP | AT27C020-90PC/PI.pdf | |
![]() | BD00HAS | BD00HAS ROHM DIPSOP | BD00HAS.pdf | |
![]() | LM3S6938-IBZ50 | LM3S6938-IBZ50 Luminary 108-BGA | LM3S6938-IBZ50.pdf | |
![]() | NL1812-102KTR | NL1812-102KTR MU SMD or Through Hole | NL1812-102KTR.pdf |