창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
| 내부 부품 번호 | EIS-RH5RI271B-T1 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 시리즈 | RH5RI271B-T1 | |
| EDA/CAD 모델 | - | |
| 종류 | 전자 부품 | |
| 공차 | - | |
| 풍모 | - | |
| 작동 온도 | - | |
| 정격 전압 | - | |
| 정격 전류 | - | |
| 최종 제품 | - | |
| 포장 종류 | TO89-4 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 대체 부품 (교체) | RH5RI271B-T1 | |
| 관련 링크 | RH5RI27, RH5RI271B-T1 데이터 시트, - 에이전트 유통 | |
![]() | TPSD686K020R0200 | 68µF Molded Tantalum Capacitors 20V 2917 (7343 Metric) 200 mOhm 0.287" L x 0.169" W (7.30mm x 4.30mm) | TPSD686K020R0200.pdf | |
![]() | 402F30033CLT | 30MHz ±30ppm 수정 12pF 100옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 402F30033CLT.pdf | |
![]() | LTO030F22R00JTE3 | RES 22 OHM 30W 5% TO220 | LTO030F22R00JTE3.pdf | |
![]() | TEESVB21V105M8R | TEESVB21V105M8R NEC SMD or Through Hole | TEESVB21V105M8R.pdf | |
![]() | TA62004AF | TA62004AF TOSHIBA SOP | TA62004AF.pdf | |
![]() | A71H08XG | A71H08XG EPCOS SMD or Through Hole | A71H08XG.pdf | |
![]() | EGXD500ETD2R2MHB5D | EGXD500ETD2R2MHB5D Chemi-con NA | EGXD500ETD2R2MHB5D.pdf | |
![]() | D4413 | D4413 SK ZIP | D4413.pdf | |
![]() | C1608C0G2A102J | C1608C0G2A102J TDK SMD | C1608C0G2A102J.pdf | |
![]() | 961A2HA-AB-1 | 961A2HA-AB-1 ORIGINAL BGA | 961A2HA-AB-1.pdf | |
![]() | CD4094BF3A | CD4094BF3A ORIGINAL DIP | CD4094BF3A .pdf | |
![]() | MCH215A181JK | MCH215A181JK ROHM SOD-323 | MCH215A181JK.pdf |