창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
| 내부 부품 번호 | EIS-RH010R5600FE02 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 시리즈 | RH010R5600FE02 | |
| EDA/CAD 모델 | - | |
| 종류 | 전자 부품 | |
| 공차 | - | |
| 풍모 | - | |
| 작동 온도 | - | |
| 정격 전압 | - | |
| 정격 전류 | - | |
| 최종 제품 | - | |
| 포장 종류 | SMD or Through Hole | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 대체 부품 (교체) | RH010R5600FE02 | |
| 관련 링크 | RH010R56, RH010R5600FE02 데이터 시트, - 에이전트 유통 | |
![]() | MAL250034153E3 | 15000µF 420V Aluminum Capacitors Radial, Can - Screw Terminals 8 mOhm @ 120Hz 3000 Hrs @ 85°C | MAL250034153E3.pdf | |
![]() | FG28X7R1H104KNT06 | 0.10µF 50V 세라믹 커패시터 X7R 방사 0.157" L x 0.098" W(4.00mm x 2.50mm) | FG28X7R1H104KNT06.pdf | |
![]() | 1N5419 | DIODE GEN PURP 500V 3A B-MELF | 1N5419.pdf | |
![]() | SI3407DV-T1-GE3 | MOSFET P-CH 20V 8A 6-TSOP | SI3407DV-T1-GE3.pdf | |
![]() | 5400R-826K | 82mH Unshielded Inductor 71mA 8.89 Ohm Max Radial | 5400R-826K.pdf | |
![]() | ZXMN10A11DN8 | ZXMN10A11DN8 FAI SOP8 | ZXMN10A11DN8.pdf | |
![]() | FSLT15S107G1E | FSLT15S107G1E FCT/WSI SMD or Through Hole | FSLT15S107G1E.pdf | |
![]() | BTS917 | BTS917 Infineon TO263-5-1 | BTS917.pdf | |
![]() | RA30H0608M-101 | RA30H0608M-101 MIT SMD | RA30H0608M-101.pdf | |
![]() | CT0402CSF-10NH | CT0402CSF-10NH CENTRAL SMD | CT0402CSF-10NH.pdf | |
![]() | TG05-2004NC | TG05-2004NC HALO SOP-12 | TG05-2004NC.pdf |