창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-RGT8BM65DTL | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | RGT8BM65D | |
제품 교육 모듈 | Insulated Gate Bipolar Transistors (IGBTs) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | IGBT - 단일 | |
제조업체 | Rohm Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
IGBT 유형 | 트렌치 필드 스톱 | |
전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 650V | |
전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 8A | |
전류 - 콜렉터 펄스(Icm) | 12A | |
Vce(on)(최대) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 4A | |
전력 - 최대 | 62W | |
스위칭 에너지 | - | |
입력 유형 | 표준 | |
게이트 전하 | 13.5nC | |
Td(온/오프) @ 25°C | 17ns/69ns | |
테스트 조건 | 400V, 4A, 50옴, 15V | |
역회복 시간(trr) | 40ns | |
패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
공급 장치 패키지 | TO-252 | |
표준 포장 | 2,500 | |
다른 이름 | RGT8BM65DTLTR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | RGT8BM65DTL | |
관련 링크 | RGT8BM, RGT8BM65DTL 데이터 시트, Rohm Semiconductor 에이전트 유통 |
![]() | C1608C0G2A392J080AC | 3900pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | C1608C0G2A392J080AC.pdf | |
![]() | 2225HA221KAT1A | 220pF 3000V(3kV) 세라믹 커패시터 C0G, NP0 2225(5763 미터법) 0.225" L x 0.250" W(5.72mm x 6.35mm) | 2225HA221KAT1A.pdf | |
![]() | 0224.375DRT2P | FUSE GLASS 375MA 250VAC 125VDC | 0224.375DRT2P.pdf | |
![]() | 402F250XXCJT | 25MHz ±15ppm 수정 9pF 200옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 402F250XXCJT.pdf | |
![]() | TMS27C101A-12JL | TMS27C101A-12JL TI DIP | TMS27C101A-12JL.pdf | |
![]() | ST16C1551CJ28 (LF) | ST16C1551CJ28 (LF) EXAR PLCC-28 | ST16C1551CJ28 (LF).pdf | |
![]() | 1N5619UST | 1N5619UST AMP SMD or Through Hole | 1N5619UST.pdf | |
![]() | 73K324L-IH | 73K324L-IH TDK PLCC | 73K324L-IH.pdf | |
![]() | VB1209S-2W | VB1209S-2W YUAN SIP | VB1209S-2W.pdf | |
![]() | EMV-630ADA470MHA0F | EMV-630ADA470MHA0F NIPPONCHEMICON SMD or Through Hole | EMV-630ADA470MHA0F.pdf | |
![]() | NTB27N06LT4 | NTB27N06LT4 ON TO-263(D2PAK) | NTB27N06LT4.pdf |