창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-RGT30NS65DGTL | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | RGT30NS65D | |
제품 교육 모듈 | Insulated Gate Bipolar Transistors (IGBTs) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | IGBT - 단일 | |
제조업체 | Rohm Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
IGBT 유형 | 트렌치 필드 스톱 | |
전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 650V | |
전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 30A | |
전류 - 콜렉터 펄스(Icm) | 45A | |
Vce(on)(최대) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 15A | |
전력 - 최대 | 133W | |
스위칭 에너지 | - | |
입력 유형 | 표준 | |
게이트 전하 | 32nC | |
Td(온/오프) @ 25°C | 18ns/64ns | |
테스트 조건 | 400V, 15A, 10 옴, 15V | |
역회복 시간(trr) | 55ns | |
패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
공급 장치 패키지 | LPDS(TO-263S) | |
표준 포장 | 1,000 | |
다른 이름 | RGT30NS65DGTLTR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | RGT30NS65DGTL | |
관련 링크 | RGT30NS, RGT30NS65DGTL 데이터 시트, Rohm Semiconductor 에이전트 유통 |
![]() | 405PHB850K2R | 4µF Film Capacitor 450V 850V Polypropylene (PP), Metallized Radial 2.264" L x 1.181" W (57.50mm x 30.00mm) | 405PHB850K2R.pdf | |
![]() | SQBW306R8JFASTON | RES CHAS MNT 6.8 OHM 5% 30W | SQBW306R8JFASTON.pdf | |
![]() | 62A15-01-240C | OPTICAL ENCODER | 62A15-01-240C.pdf | |
![]() | EC02-0603QRC1E TEL:82766440 | EC02-0603QRC1E TEL:82766440 EVERLTGH SMD or Through Hole | EC02-0603QRC1E TEL:82766440.pdf | |
![]() | 54F151BCAJC | 54F151BCAJC MOT/TI CDIP | 54F151BCAJC.pdf | |
![]() | TA7343AP(M) | TA7343AP(M) TOSHIBA SMD or Through Hole | TA7343AP(M).pdf | |
![]() | M56790 | M56790 MIT SOP | M56790.pdf | |
![]() | SKT45F10DS | SKT45F10DS SEMIKRON SMD or Through Hole | SKT45F10DS.pdf | |
![]() | SDT8008 | SDT8008 SUMITOMO SMD or Through Hole | SDT8008.pdf | |
![]() | LB11818 | LB11818 SANYO SSOP-30 | LB11818.pdf | |
![]() | LFBKP1608HS221-S | LFBKP1608HS221-S TAIYO 0603- | LFBKP1608HS221-S.pdf | |
![]() | BCL4532-330K | BCL4532-330K BI-TECHN SMD | BCL4532-330K.pdf |