창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-RG3216V-6651-W-T1 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | RG Series | |
제품 교육 모듈 | Intro to Thin Film Chip Resistors | |
특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | Cert of RoHS Compliance | |
EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
종류 | 저항기 | |
제품군 | 칩 저항기 - 표면실장(SMD, SMT) | |
제조업체 | Susumu | |
계열 | RG | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | * | |
저항(옴) | 6.65k | |
허용 오차 | ±0.05% | |
전력(와트) | 0.25W, 1/4W | |
구성 | 박막 | |
특징 | 자동차 AEC-Q200 | |
온도 계수 | ±5ppm/°C | |
작동 온도 | -55°C ~ 155°C | |
패키지/케이스 | 1206(3216 미터법) | |
공급 장치 패키지 | 1206 | |
크기/치수 | 0.126" L x 0.063" W(3.20mm x 1.60mm) | |
높이 | 0.020"(0.50mm) | |
종단 개수 | 2 | |
표준 포장 | 1,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | RG3216V-6651-W-T1 | |
관련 링크 | RG3216V-66, RG3216V-6651-W-T1 데이터 시트, Susumu 에이전트 유통 |
C0805C106M9PACTU | 10µF 6.3V 세라믹 커패시터 X5R 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | C0805C106M9PACTU.pdf | ||
RDER72J104K4K1H03B | 0.10µF 630V 세라믹 커패시터 X7R 방사 0.295" L x 0.157" W(7.50mm x 4.00mm) | RDER72J104K4K1H03B.pdf | ||
K391M15X7RF5UL2 | 390pF 50V 세라믹 커패시터 X7R 방사 0.157" L x 0.098" W(4.00mm x 2.50mm) | K391M15X7RF5UL2.pdf | ||
GCM0335C1E9R6DD03D | 9.6pF 25V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0201(0603 미터법) 0.024" L x 0.012" W(0.60mm x 0.30mm) | GCM0335C1E9R6DD03D.pdf | ||
BLF8G10L-160,112 | FET RF 65V 960MHZ | BLF8G10L-160,112.pdf | ||
KTR03EZPF2401 | RES SMD 2.4K OHM 1% 1/10W 0603 | KTR03EZPF2401.pdf | ||
AE5B9864 | AE5B9864 ANA SOP | AE5B9864.pdf | ||
L08053R3DEWTRMOT | L08053R3DEWTRMOT AVX SMD or Through Hole | L08053R3DEWTRMOT.pdf | ||
SUB50N0407T | SUB50N0407T VISHAY to-263 | SUB50N0407T.pdf | ||
CEE2X80SMV3Z14 | CEE2X80SMV3Z14 BURNDY SMD or Through Hole | CEE2X80SMV3Z14.pdf | ||
VPORT0402220KMV05 | VPORT0402220KMV05 INPAQ SMD | VPORT0402220KMV05.pdf |