창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-RG2012V-6980-B-T5 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | RG Series | |
제품 교육 모듈 | Intro to Thin Film Chip Resistors Severe Environmental & Sulfur Resistant Chip | |
EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
종류 | 저항기 | |
제품군 | 칩 저항기 - 표면실장(SMD, SMT) | |
제조업체 | Susumu | |
계열 | RG | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | * | |
저항(옴) | 698 | |
허용 오차 | ±0.1% | |
전력(와트) | 0.125W, 1/8W | |
구성 | 박막 | |
특징 | 자동차 AEC-Q200 | |
온도 계수 | ±5ppm/°C | |
작동 온도 | -55°C ~ 155°C | |
패키지/케이스 | 0805(2012 미터법) | |
공급 장치 패키지 | 0805 | |
크기/치수 | 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | |
높이 | 0.020"(0.50mm) | |
종단 개수 | 2 | |
표준 포장 | 5,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | RG2012V-6980-B-T5 | |
관련 링크 | RG2012V-69, RG2012V-6980-B-T5 데이터 시트, Susumu 에이전트 유통 |
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![]() | FA-238 19.6608MB-K0 | 19.6608MHz ±50ppm 수정 10pF 80옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | FA-238 19.6608MB-K0.pdf | |
![]() | 2SC3585-T1B-A | RF TRANSISTOR NPN SOT-23 | 2SC3585-T1B-A.pdf | |
![]() | 4922R-41L | 2.2mH Unshielded Wirewound Inductor 141mA 20 Ohm Max Nonstandard | 4922R-41L.pdf | |
![]() | RT2512FKE0743KL | RES SMD 43K OHM 1% 3/4W 2512 | RT2512FKE0743KL.pdf | |
![]() | BG8BG1 | BG8BG1 ORIGINAL SOP18 | BG8BG1.pdf | |
![]() | M6624FP | M6624FP RENESAS SOP24 | M6624FP.pdf | |
![]() | MB1512PFV-G-BND-ER | MB1512PFV-G-BND-ER FUJITSU TSSOP | MB1512PFV-G-BND-ER.pdf | |
![]() | DSN6NC51H222Q92A | DSN6NC51H222Q92A muRata DIP | DSN6NC51H222Q92A.pdf | |
![]() | ESW397M063AN6AA | ESW397M063AN6AA ARCOTRNI DIP-2 | ESW397M063AN6AA.pdf | |
![]() | IDT7201LA25SO8 | IDT7201LA25SO8 IDT 28-SOIC | IDT7201LA25SO8.pdf | |
![]() | MM1021. | MM1021. MIT ZIP | MM1021..pdf |