창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-RG2012V-6651-P-T1 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | RG Series | |
제품 교육 모듈 | Intro to Thin Film Chip Resistors Severe Environmental & Sulfur Resistant Chip | |
EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
종류 | 저항기 | |
제품군 | 칩 저항기 - 표면실장(SMD, SMT) | |
제조업체 | Susumu | |
계열 | RG | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | * | |
저항(옴) | 6.65k | |
허용 오차 | ±0.02% | |
전력(와트) | 0.125W, 1/8W | |
구성 | 박막 | |
특징 | 자동차 AEC-Q200 | |
온도 계수 | ±5ppm/°C | |
작동 온도 | -55°C ~ 155°C | |
패키지/케이스 | 0805(2012 미터법) | |
공급 장치 패키지 | 0805 | |
크기/치수 | 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | |
높이 | 0.020"(0.50mm) | |
종단 개수 | 2 | |
표준 포장 | 1,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | RG2012V-6651-P-T1 | |
관련 링크 | RG2012V-66, RG2012V-6651-P-T1 데이터 시트, Susumu 에이전트 유통 |
SIT8008ACT8-30E | 1MHz ~ 110MHz HCMOS, LVCMOS MEMS (Silicon) Programmable Oscillator Surface Mount 3V 4.5mA Enable/Disable | SIT8008ACT8-30E.pdf | ||
RG2012L-152-L-T05 | RES SMD 1.5KOHM 0.01% 1/10W 0805 | RG2012L-152-L-T05.pdf | ||
TRR10EZPJ106 | RES SMD 10M OHM 5% 1/8W 0805 | TRR10EZPJ106.pdf | ||
MTC-20144TQ-I | MTC-20144TQ-I ALCATEL QFP | MTC-20144TQ-I.pdf | ||
2SC5357 | 2SC5357 TOSHIBA SMD or Through Hole | 2SC5357.pdf | ||
MAR-8ASM | MAR-8ASM MINI SOT86 | MAR-8ASM.pdf | ||
G3NA-D210B-DC5/24 | G3NA-D210B-DC5/24 Omron SMD or Through Hole | G3NA-D210B-DC5/24.pdf | ||
LTC3419EMS#PBF/I | LTC3419EMS#PBF/I LT SMD or Through Hole | LTC3419EMS#PBF/I.pdf | ||
MO2042G-4D01-T | MO2042G-4D01-T MINDSPEE TSSOP20 | MO2042G-4D01-T.pdf | ||
HA4-5221/883 | HA4-5221/883 ORIGINAL LCC | HA4-5221/883.pdf | ||
2SA1980MGL | 2SA1980MGL AUK SMD or Through Hole | 2SA1980MGL.pdf | ||
CL10C9R1CBNC | CL10C9R1CBNC SAMSUNG SMD or Through Hole | CL10C9R1CBNC.pdf |