창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-RG2012V-6650-W-T5 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | RG Series | |
제품 교육 모듈 | Intro to Thin Film Chip Resistors Severe Environmental & Sulfur Resistant Chip | |
EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
종류 | 저항기 | |
제품군 | 칩 저항기 - 표면실장(SMD, SMT) | |
제조업체 | Susumu | |
계열 | RG | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | * | |
저항(옴) | 665 | |
허용 오차 | ±0.05% | |
전력(와트) | 0.125W, 1/8W | |
구성 | 박막 | |
특징 | 자동차 AEC-Q200 | |
온도 계수 | ±5ppm/°C | |
작동 온도 | -55°C ~ 155°C | |
패키지/케이스 | 0805(2012 미터법) | |
공급 장치 패키지 | 0805 | |
크기/치수 | 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | |
높이 | 0.020"(0.50mm) | |
종단 개수 | 2 | |
표준 포장 | 5,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | RG2012V-6650-W-T5 | |
관련 링크 | RG2012V-66, RG2012V-6650-W-T5 데이터 시트, Susumu 에이전트 유통 |
![]() | F1772SX238231KFIB0 | 0.082µF Film Capacitor 310V 630V Polyester, Metallized Radial 0.689" L x 0.236" W (17.50mm x 6.00mm) | F1772SX238231KFIB0.pdf | |
![]() | DAC108S085 | DAC108S085 NS SMD or Through Hole | DAC108S085.pdf | |
![]() | SSM2S-D | SSM2S-D PANDUIT SMD or Through Hole | SSM2S-D.pdf | |
![]() | NM27C32Q200/883 | NM27C32Q200/883 NS DIP | NM27C32Q200/883.pdf | |
![]() | 332J1600V | 332J1600V ORIGINAL SMD or Through Hole | 332J1600V.pdf | |
![]() | OMAP2531BZAC | OMAP2531BZAC ORIGINAL BGA | OMAP2531BZAC.pdf | |
![]() | TK71745S-G | TK71745S-G ORIGINAL SOT-25 | TK71745S-G.pdf | |
![]() | MT46V128M4BN-6 ES:F | MT46V128M4BN-6 ES:F micron BGA | MT46V128M4BN-6 ES:F.pdf | |
![]() | 3D3428-0.25 | 3D3428-0.25 N/A DIP-16 | 3D3428-0.25.pdf | |
![]() | NFP34A0134 | NFP34A0134 YAMAICHI SMD or Through Hole | NFP34A0134.pdf | |
![]() | R2O-50VR47ME3 | R2O-50VR47ME3 ELNA DIP | R2O-50VR47ME3.pdf | |
![]() | MAX6313UK39D4+T | MAX6313UK39D4+T MAXIM SMD or Through Hole | MAX6313UK39D4+T.pdf |