창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-RG2012V-621-W-T5 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | RG Series | |
제품 교육 모듈 | Intro to Thin Film Chip Resistors Severe Environmental & Sulfur Resistant Chip | |
EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
종류 | 저항기 | |
제품군 | 칩 저항기 - 표면실장(SMD, SMT) | |
제조업체 | Susumu | |
계열 | RG | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | * | |
저항(옴) | 620 | |
허용 오차 | ±0.05% | |
전력(와트) | 0.125W, 1/8W | |
구성 | 박막 | |
특징 | 자동차 AEC-Q200 | |
온도 계수 | ±5ppm/°C | |
작동 온도 | -55°C ~ 155°C | |
패키지/케이스 | 0805(2012 미터법) | |
공급 장치 패키지 | 0805 | |
크기/치수 | 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | |
높이 | 0.020"(0.50mm) | |
종단 개수 | 2 | |
표준 포장 | 5,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | RG2012V-621-W-T5 | |
관련 링크 | RG2012V-6, RG2012V-621-W-T5 데이터 시트, Susumu 에이전트 유통 |
GRM0225C1E3R7BA03L | 3.7pF 25V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 01005(0402 미터법) 0.016" L x 0.008" W(0.40mm x 0.20mm) | GRM0225C1E3R7BA03L.pdf | ||
VJ1812Y472JBAAT4X | 4700pF 50V 세라믹 커패시터 X7R 1812(4532 미터법) 0.183" L x 0.126" W(4.65mm x 3.20mm) | VJ1812Y472JBAAT4X.pdf | ||
SRP1245A-1R5M | 1.5µH Shielded Wirewound Inductor 27A 3.3 mOhm Max Nonstandard | SRP1245A-1R5M.pdf | ||
MCESTARWHT40HK | MCESTARWHT40HK creestar SMD or Through Hole | MCESTARWHT40HK.pdf | ||
SS836P881PM-2 | SS836P881PM-2 SANYO SMD or Through Hole | SS836P881PM-2.pdf | ||
M28W320CT100GB6T | M28W320CT100GB6T ORIGINAL BGA | M28W320CT100GB6T.pdf | ||
FPQ-64-0.8-09A | FPQ-64-0.8-09A ENPLAS SMD or Through Hole | FPQ-64-0.8-09A.pdf | ||
G6K-2G-12VDC | G6K-2G-12VDC OMRON SMD or Through Hole | G6K-2G-12VDC.pdf | ||
12062F475Z7BA0D | 12062F475Z7BA0D YAGEO SMD | 12062F475Z7BA0D.pdf | ||
6MC335MATER | 6MC335MATER ORIGINAL SOT-A | 6MC335MATER.pdf | ||
TW5608IDW | TW5608IDW ORIGINAL SMD or Through Hole | TW5608IDW.pdf | ||
TN82590-6 | TN82590-6 Intel PLCC | TN82590-6.pdf |