창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-RG2012V-3400-P-T1 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | RG Series | |
제품 교육 모듈 | Intro to Thin Film Chip Resistors Severe Environmental & Sulfur Resistant Chip | |
EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
종류 | 저항기 | |
제품군 | 칩 저항기 - 표면실장(SMD, SMT) | |
제조업체 | Susumu | |
계열 | RG | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | * | |
저항(옴) | 340 | |
허용 오차 | ±0.02% | |
전력(와트) | 0.125W, 1/8W | |
구성 | 박막 | |
특징 | 자동차 AEC-Q200 | |
온도 계수 | ±5ppm/°C | |
작동 온도 | -55°C ~ 155°C | |
패키지/케이스 | 0805(2012 미터법) | |
공급 장치 패키지 | 0805 | |
크기/치수 | 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | |
높이 | 0.020"(0.50mm) | |
종단 개수 | 2 | |
표준 포장 | 1,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | RG2012V-3400-P-T1 | |
관련 링크 | RG2012V-34, RG2012V-3400-P-T1 데이터 시트, Susumu 에이전트 유통 |
![]() | VJ2225Y124KBBAT4X | 0.12µF 100V 세라믹 커패시터 X7R 2225(5763 미터법) 0.226" L x 0.250" W(5.74mm x 6.35mm) | VJ2225Y124KBBAT4X.pdf | |
![]() | S40DR | DIODE GEN PURP REV 200V 40A DO5 | S40DR.pdf | |
![]() | EBMS3225A-100 | EBMS3225A-100 HYTDK SMD or Through Hole | EBMS3225A-100.pdf | |
![]() | SFELF10M7EK00A0 | SFELF10M7EK00A0 MURATA AMMO | SFELF10M7EK00A0.pdf | |
![]() | 75P42100S66BC | 75P42100S66BC IDT BGA | 75P42100S66BC.pdf | |
![]() | SPX1117M3-1.8V/2.5/2.85/3.3/ADJ | SPX1117M3-1.8V/2.5/2.85/3.3/ADJ AMS SOT-223 | SPX1117M3-1.8V/2.5/2.85/3.3/ADJ.pdf | |
![]() | 655A | 655A ORIGINAL SMD or Through Hole | 655A.pdf | |
![]() | HY62UF1610LLM-10 IDR | HY62UF1610LLM-10 IDR ORIGINAL SMD or Through Hole | HY62UF1610LLM-10 IDR.pdf | |
![]() | PEF82912V1.3. | PEF82912V1.3. Infineon TQFP64 | PEF82912V1.3..pdf | |
![]() | V26MLA0603R | V26MLA0603R LIT SMD | V26MLA0603R.pdf | |
![]() | MAX481CSA/ESA | MAX481CSA/ESA MAXIM SMD or Through Hole | MAX481CSA/ESA.pdf | |
![]() | IPSH4D18101N-10 | IPSH4D18101N-10 steward NA | IPSH4D18101N-10.pdf |