창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-RG2012V-2800-W-T1 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | RG Series | |
제품 교육 모듈 | Intro to Thin Film Chip Resistors Severe Environmental & Sulfur Resistant Chip | |
EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
종류 | 저항기 | |
제품군 | 칩 저항기 - 표면실장(SMD, SMT) | |
제조업체 | Susumu | |
계열 | RG | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | * | |
저항(옴) | 280 | |
허용 오차 | ±0.05% | |
전력(와트) | 0.125W, 1/8W | |
구성 | 박막 | |
특징 | 자동차 AEC-Q200 | |
온도 계수 | ±5ppm/°C | |
작동 온도 | -55°C ~ 155°C | |
패키지/케이스 | 0805(2012 미터법) | |
공급 장치 패키지 | 0805 | |
크기/치수 | 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | |
높이 | 0.020"(0.50mm) | |
종단 개수 | 2 | |
표준 포장 | 1,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | RG2012V-2800-W-T1 | |
관련 링크 | RG2012V-28, RG2012V-2800-W-T1 데이터 시트, Susumu 에이전트 유통 |
C1206C106K8PACTU | 10µF 10V 세라믹 커패시터 X5R 1206(3216 미터법) 0.126" L x 0.063" W(3.20mm x 1.60mm) | C1206C106K8PACTU.pdf | ||
VJ0402D390FXAAP | 39pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0402(1005 미터법) 0.040" L x 0.020" W(1.02mm x 0.51mm) | VJ0402D390FXAAP.pdf | ||
F339MX253331MPM2T0 | 3.3µF Film Capacitor 310V 630V Polypropylene (PP), Metallized Radial 1.634" L x 0.492" W (41.50mm x 12.50mm) | F339MX253331MPM2T0.pdf | ||
RC0201DR-0710K7L | RES SMD 10.7KOHM 0.5% 1/20W 0201 | RC0201DR-0710K7L.pdf | ||
06DHAG5 | 06DHAG5 DELTA DIP-5 | 06DHAG5.pdf | ||
IAP12C5A62S2-35I-LQFP44 | IAP12C5A62S2-35I-LQFP44 STC LQFP44 | IAP12C5A62S2-35I-LQFP44.pdf | ||
UPD6453CY-526 | UPD6453CY-526 NEC DIP-20 | UPD6453CY-526.pdf | ||
TAR5SB29. | TAR5SB29. TOSHIBA SOT23-5 | TAR5SB29..pdf | ||
AGM3224L | AGM3224L ZETTLERMAGNETICS SMD or Through Hole | AGM3224L.pdf | ||
1856EUB | 1856EUB ORIGINAL MSOP8 | 1856EUB.pdf | ||
RD3.9E-AZ/B2 | RD3.9E-AZ/B2 NEC SMD or Through Hole | RD3.9E-AZ/B2.pdf |