창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-RG2012V-2800-P-T1 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | RG Series | |
제품 교육 모듈 | Intro to Thin Film Chip Resistors Severe Environmental & Sulfur Resistant Chip | |
EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
종류 | 저항기 | |
제품군 | 칩 저항기 - 표면실장(SMD, SMT) | |
제조업체 | Susumu | |
계열 | RG | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | * | |
저항(옴) | 280 | |
허용 오차 | ±0.02% | |
전력(와트) | 0.125W, 1/8W | |
구성 | 박막 | |
특징 | 자동차 AEC-Q200 | |
온도 계수 | ±5ppm/°C | |
작동 온도 | -55°C ~ 155°C | |
패키지/케이스 | 0805(2012 미터법) | |
공급 장치 패키지 | 0805 | |
크기/치수 | 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | |
높이 | 0.020"(0.50mm) | |
종단 개수 | 2 | |
표준 포장 | 1,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | RG2012V-2800-P-T1 | |
관련 링크 | RG2012V-28, RG2012V-2800-P-T1 데이터 시트, Susumu 에이전트 유통 |
BYV26D-TR | DIODE AVALANCHE 800V 1A SOD57 | BYV26D-TR.pdf | ||
IDT70914L15PF | IDT70914L15PF IDT SMD or Through Hole | IDT70914L15PF.pdf | ||
TL0841 | TL0841 TI SOP-14 | TL0841.pdf | ||
IHLP2525CZRZ1ROM01 | IHLP2525CZRZ1ROM01 VISHAY SMD or Through Hole | IHLP2525CZRZ1ROM01.pdf | ||
SI7621DN-T1-GE3 | SI7621DN-T1-GE3 VISHAY PAK1212-8 | SI7621DN-T1-GE3.pdf | ||
8_H2 | 8_H2 FSC QFN | 8_H2.pdf | ||
T7513B-EE | T7513B-EE AT&T SOP | T7513B-EE.pdf | ||
EEFCD0D101R(2V100UF) | EEFCD0D101R(2V100UF) PANASONIC SMD | EEFCD0D101R(2V100UF).pdf | ||
SNJ54LVTH244AW | SNJ54LVTH244AW TI SMD or Through Hole | SNJ54LVTH244AW.pdf | ||
RC2010FK07215R | RC2010FK07215R vitrohm SMD or Through Hole | RC2010FK07215R.pdf | ||
AF868-2 | AF868-2 ORIGINAL DIP | AF868-2.pdf | ||
S25-18-1156/1157 | S25-18-1156/1157 ORIGINAL SMD or Through Hole | S25-18-1156/1157.pdf |