창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-RG2012V-1471-D-T5 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | RG Series | |
제품 교육 모듈 | Intro to Thin Film Chip Resistors Severe Environmental & Sulfur Resistant Chip | |
EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
종류 | 저항기 | |
제품군 | 칩 저항기 - 표면실장(SMD, SMT) | |
제조업체 | Susumu | |
계열 | RG | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | * | |
저항(옴) | 1.47k | |
허용 오차 | ±0.5% | |
전력(와트) | 0.125W, 1/8W | |
구성 | 박막 | |
특징 | 자동차 AEC-Q200 | |
온도 계수 | ±5ppm/°C | |
작동 온도 | -55°C ~ 155°C | |
패키지/케이스 | 0805(2012 미터법) | |
공급 장치 패키지 | 0805 | |
크기/치수 | 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | |
높이 | 0.020"(0.50mm) | |
종단 개수 | 2 | |
표준 포장 | 5,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | RG2012V-1471-D-T5 | |
관련 링크 | RG2012V-14, RG2012V-1471-D-T5 데이터 시트, Susumu 에이전트 유통 |
IDP08E65D1XKSA1 | DIODE GEN PURP 650V 8A TO220-2 | IDP08E65D1XKSA1.pdf | ||
HSC-A3-D1 21 | HSC-A3-D1 21 HRS SMD or Through Hole | HSC-A3-D1 21.pdf | ||
LM2576S-3。3 | LM2576S-3。3 NS SMD or Through Hole | LM2576S-3。3.pdf | ||
0805 500R | 0805 500R ORIGINAL SMD or Through Hole | 0805 500R.pdf | ||
KA2220S | KA2220S SAMSUNG SIP | KA2220S.pdf | ||
JAW075F81-50W | JAW075F81-50W TYUO SMD or Through Hole | JAW075F81-50W.pdf | ||
SNJ27C010A-12JM | SNJ27C010A-12JM TI CDIP | SNJ27C010A-12JM.pdf | ||
1AV4L51B4800G | 1AV4L51B4800G TOKO SMD | 1AV4L51B4800G.pdf | ||
PM50B5LB060 | PM50B5LB060 MITSUBISHI SMD or Through Hole | PM50B5LB060.pdf | ||
POSA-960 | POSA-960 ORIGINAL SMD or Through Hole | POSA-960.pdf | ||
TDA6123JN10 | TDA6123JN10 PHI SMD or Through Hole | TDA6123JN10.pdf | ||
RG2G106M10020PA180 | RG2G106M10020PA180 SAMWHA SMD or Through Hole | RG2G106M10020PA180.pdf |