창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-RG2012P-80R6-B-T5 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | RG Series | |
제품 교육 모듈 | Intro to Thin Film Chip Resistors Severe Environmental & Sulfur Resistant Chip | |
EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
종류 | 저항기 | |
제품군 | 칩 저항기 - 표면실장(SMD, SMT) | |
제조업체 | Susumu | |
계열 | RG | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | * | |
저항(옴) | 80.6 | |
허용 오차 | ±0.1% | |
전력(와트) | 0.125W, 1/8W | |
구성 | 박막 | |
특징 | 자동차 AEC-Q200 | |
온도 계수 | ±25ppm/°C | |
작동 온도 | -55°C ~ 155°C | |
패키지/케이스 | 0805(2012 미터법) | |
공급 장치 패키지 | 0805 | |
크기/치수 | 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | |
높이 | 0.020"(0.50mm) | |
종단 개수 | 2 | |
표준 포장 | 5,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | RG2012P-80R6-B-T5 | |
관련 링크 | RG2012P-80, RG2012P-80R6-B-T5 데이터 시트, Susumu 에이전트 유통 |
CGB2A1X5R1C105K033BC | 1µF 16V 세라믹 커패시터 X5R 0402(1005 미터법) 0.039" L x 0.020" W(1.00mm x 0.50mm) | CGB2A1X5R1C105K033BC.pdf | ||
416F27135CKT | 27.12MHz ±30ppm 수정 8pF 200옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F27135CKT.pdf | ||
ATMEGA128RFR2-ZF | IC RF TxRx + MCU 802.15.4 Zigbee® 2.4GHz 64-VFQFN Exposed Pad | ATMEGA128RFR2-ZF.pdf | ||
BSR19A TEL:82766440 | BSR19A TEL:82766440 NXP SOT23 | BSR19A TEL:82766440.pdf | ||
VLD170X | VLD170X Taychipst SMD or Through Hole | VLD170X.pdf | ||
DF18B-30DS-0.4V(81) | DF18B-30DS-0.4V(81) HRS SMD | DF18B-30DS-0.4V(81).pdf | ||
2SC2804S | 2SC2804S IR SMD or Through Hole | 2SC2804S.pdf | ||
CAM-E41SDF-009-8906A | CAM-E41SDF-009-8906A MITSUMI SMD or Through Hole | CAM-E41SDF-009-8906A.pdf | ||
16.8MHZ(TEW) | 16.8MHZ(TEW) TEW 5X7-4P | 16.8MHZ(TEW).pdf | ||
EP3SE110F1152 | EP3SE110F1152 ALTRA SMD or Through Hole | EP3SE110F1152.pdf | ||
NFR21GD1012202D | NFR21GD1012202D MURATA SMD | NFR21GD1012202D.pdf | ||
851-93-004-10-002000 | 851-93-004-10-002000 MILL-MAX SMD or Through Hole | 851-93-004-10-002000.pdf |