창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-RG2012P-123-W-T5 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | RG Series | |
제품 교육 모듈 | Intro to Thin Film Chip Resistors Severe Environmental & Sulfur Resistant Chip | |
EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
종류 | 저항기 | |
제품군 | 칩 저항기 - 표면실장(SMD, SMT) | |
제조업체 | Susumu | |
계열 | RG | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | * | |
저항(옴) | 12k | |
허용 오차 | ±0.05% | |
전력(와트) | 0.125W, 1/8W | |
구성 | 박막 | |
특징 | 자동차 AEC-Q200 | |
온도 계수 | ±25ppm/°C | |
작동 온도 | -55°C ~ 155°C | |
패키지/케이스 | 0805(2012 미터법) | |
공급 장치 패키지 | 0805 | |
크기/치수 | 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | |
높이 | 0.020"(0.50mm) | |
종단 개수 | 2 | |
표준 포장 | 5,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | RG2012P-123-W-T5 | |
관련 링크 | RG2012P-1, RG2012P-123-W-T5 데이터 시트, Susumu 에이전트 유통 |
VJ1206Y123KBBAT4X | 0.012µF 100V 세라믹 커패시터 X7R 1206(3216 미터법) 0.132" L x 0.063" W(3.35mm x 1.60mm) | VJ1206Y123KBBAT4X.pdf | ||
ES2BHE3_A/H | DIODE GEN PURP 100V 2A DO214AA | ES2BHE3_A/H.pdf | ||
BYG22BHE3/TR3 | DIODE AVALANCHE 100V 2A DO214AC | BYG22BHE3/TR3.pdf | ||
RLB0608-180KL | 18µH Unshielded Wirewound Inductor 480mA 600 mOhm Max Radial | RLB0608-180KL.pdf | ||
LSE65060/S3-PF | LSE65060/S3-PF LIGITEK LED | LSE65060/S3-PF.pdf | ||
HB31002 | HB31002 N/A DIP8 | HB31002.pdf | ||
329003100206448 | 329003100206448 ORIGINAL SMD or Through Hole | 329003100206448.pdf | ||
RLZ-TE-11 10C | RLZ-TE-11 10C ROHM SMD or Through Hole | RLZ-TE-11 10C.pdf | ||
88AP270MA2-BHE1C520-MARVELL | 88AP270MA2-BHE1C520-MARVELL ORIGINAL SMD or Through Hole | 88AP270MA2-BHE1C520-MARVELL.pdf | ||
CW02C100R0JE7014 | CW02C100R0JE7014 vishay SMD or Through Hole | CW02C100R0JE7014.pdf | ||
RH-50W | RH-50W ORIGINAL SMD or Through Hole | RH-50W.pdf | ||
IF1203D-H | IF1203D-H XP DIP | IF1203D-H.pdf |