창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-RG2012N-680-W-T5 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | RG Series | |
제품 교육 모듈 | Intro to Thin Film Chip Resistors Severe Environmental & Sulfur Resistant Chip | |
EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
종류 | 저항기 | |
제품군 | 칩 저항기 - 표면실장(SMD, SMT) | |
제조업체 | Susumu | |
계열 | RG | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | * | |
저항(옴) | 68 | |
허용 오차 | ±0.05% | |
전력(와트) | 0.125W, 1/8W | |
구성 | 박막 | |
특징 | 자동차 AEC-Q200 | |
온도 계수 | ±10ppm/°C | |
작동 온도 | -55°C ~ 155°C | |
패키지/케이스 | 0805(2012 미터법) | |
공급 장치 패키지 | 0805 | |
크기/치수 | 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | |
높이 | 0.020"(0.50mm) | |
종단 개수 | 2 | |
표준 포장 | 5,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | RG2012N-680-W-T5 | |
관련 링크 | RG2012N-6, RG2012N-680-W-T5 데이터 시트, Susumu 에이전트 유통 |
SP1812-153H | 15µH Shielded Inductor 640mA 490 mOhm Max Nonstandard | SP1812-153H.pdf | ||
AVT-52663-TR1G | RF Amplifier IC Cellular, ISM, WLAN 0Hz ~ 6GHz SOT-363, SC70 | AVT-52663-TR1G.pdf | ||
6526ACBZ | 6526ACBZ INTERSIL SOP-14 | 6526ACBZ.pdf | ||
S4B-ZR-SM3A-TF(LF) | S4B-ZR-SM3A-TF(LF) JST SMD or Through Hole | S4B-ZR-SM3A-TF(LF).pdf | ||
SS32N-SS310N | SS32N-SS310N ORIGINAL NSMC | SS32N-SS310N.pdf | ||
ICS650R-11I | ICS650R-11I ICS SSOP20 | ICS650R-11I.pdf | ||
XF333S4HC | XF333S4HC XFMRS SMD or Through Hole | XF333S4HC.pdf | ||
WBENG115*15 | WBENG115*15 XX BGA1515 | WBENG115*15.pdf | ||
NMC0603X7R104K16RRP | NMC0603X7R104K16RRP NEC SMD | NMC0603X7R104K16RRP.pdf | ||
RC-1210F-100R | RC-1210F-100R YAGEO SMD or Through Hole | RC-1210F-100R.pdf | ||
BB302MBW-TR1G | BB302MBW-TR1G RENESAS MPAK-4 | BB302MBW-TR1G.pdf |