창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-RG2012N-563-W-T5 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | RG Series | |
제품 교육 모듈 | Intro to Thin Film Chip Resistors Severe Environmental & Sulfur Resistant Chip | |
EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
종류 | 저항기 | |
제품군 | 칩 저항기 - 표면실장(SMD, SMT) | |
제조업체 | Susumu | |
계열 | RG | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | * | |
저항(옴) | 56k | |
허용 오차 | ±0.05% | |
전력(와트) | 0.125W, 1/8W | |
구성 | 박막 | |
특징 | 자동차 AEC-Q200 | |
온도 계수 | ±10ppm/°C | |
작동 온도 | -55°C ~ 155°C | |
패키지/케이스 | 0805(2012 미터법) | |
공급 장치 패키지 | 0805 | |
크기/치수 | 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | |
높이 | 0.020"(0.50mm) | |
종단 개수 | 2 | |
표준 포장 | 5,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | RG2012N-563-W-T5 | |
관련 링크 | RG2012N-5, RG2012N-563-W-T5 데이터 시트, Susumu 에이전트 유통 |
GRM0225C1E6R9CDAEL | 6.9pF 25V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 01005(0402 미터법) 0.016" L x 0.008" W(0.40mm x 0.20mm) | GRM0225C1E6R9CDAEL.pdf | ||
CS325S33333300ABJT | 33.3333MHz ±30ppm 수정 18pF 50옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | CS325S33333300ABJT.pdf | ||
416F260XXCAT | 26MHz ±15ppm 수정 10pF 200옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F260XXCAT.pdf | ||
ERJ-1GNF46R4C | RES SMD 46.4 OHM 1% 1/20W 0201 | ERJ-1GNF46R4C.pdf | ||
LM1826 | LM1826 NS DIP | LM1826.pdf | ||
2SK242-2 | 2SK242-2 SANYO SOT-23 | 2SK242-2.pdf | ||
F002741A | F002741A Fairchi DIP-8 | F002741A.pdf | ||
H11AA1XSMTR | H11AA1XSMTR ISOCOM DIPSOP | H11AA1XSMTR.pdf | ||
BFG93AXR | BFG93AXR NXP SOT-143 | BFG93AXR.pdf | ||
DTA124EF | DTA124EF ROHM TO-92LM | DTA124EF.pdf | ||
EDZTE-614.7B | EDZTE-614.7B ROHM SMD or Through Hole | EDZTE-614.7B.pdf |