창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-RG2012N-3160-B-T5 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | RG Series | |
제품 교육 모듈 | Intro to Thin Film Chip Resistors Severe Environmental & Sulfur Resistant Chip | |
EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
종류 | 저항기 | |
제품군 | 칩 저항기 - 표면실장(SMD, SMT) | |
제조업체 | Susumu | |
계열 | RG | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | * | |
저항(옴) | 316 | |
허용 오차 | ±0.1% | |
전력(와트) | 0.125W, 1/8W | |
구성 | 박막 | |
특징 | 자동차 AEC-Q200 | |
온도 계수 | ±10ppm/°C | |
작동 온도 | -55°C ~ 155°C | |
패키지/케이스 | 0805(2012 미터법) | |
공급 장치 패키지 | 0805 | |
크기/치수 | 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | |
높이 | 0.020"(0.50mm) | |
종단 개수 | 2 | |
표준 포장 | 5,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | RG2012N-3160-B-T5 | |
관련 링크 | RG2012N-31, RG2012N-3160-B-T5 데이터 시트, Susumu 에이전트 유통 |
SM8S24ATHE3/I | TVS DIODE 24VWM 38.9VC | SM8S24ATHE3/I.pdf | ||
416F30033IDR | 30MHz ±30ppm 수정 18pF 200옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F30033IDR.pdf | ||
SP1812-122G | 1.2µH Shielded Inductor 1.51A 88 mOhm Max Nonstandard | SP1812-122G.pdf | ||
PBS101C400 | PBS101C400 cx SMD or Through Hole | PBS101C400.pdf | ||
NJM2881F47 | NJM2881F47 JRC SOT23-5 | NJM2881F47.pdf | ||
B2323 | B2323 PULSE SMD or Through Hole | B2323.pdf | ||
CP451616T-190Y | CP451616T-190Y EROCORE SMD | CP451616T-190Y.pdf | ||
LTC1709IG#TR | LTC1709IG#TR NEC NULL | LTC1709IG#TR.pdf | ||
DF36057FZV | DF36057FZV Renesas SMD or Through Hole | DF36057FZV.pdf | ||
THAT1510P | THAT1510P ORIGINAL SOP | THAT1510P.pdf | ||
MXFM-1006 | MXFM-1006 MEI DIP-4 | MXFM-1006.pdf | ||
OCZHCL8WP | OCZHCL8WP TI PLCC-20 | OCZHCL8WP.pdf |