창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-RG2012N-2870-W-T5 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | RG Series | |
제품 교육 모듈 | Intro to Thin Film Chip Resistors Severe Environmental & Sulfur Resistant Chip | |
EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
종류 | 저항기 | |
제품군 | 칩 저항기 - 표면실장(SMD, SMT) | |
제조업체 | Susumu | |
계열 | RG | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | * | |
저항(옴) | 287 | |
허용 오차 | ±0.05% | |
전력(와트) | 0.125W, 1/8W | |
구성 | 박막 | |
특징 | 자동차 AEC-Q200 | |
온도 계수 | ±10ppm/°C | |
작동 온도 | -55°C ~ 155°C | |
패키지/케이스 | 0805(2012 미터법) | |
공급 장치 패키지 | 0805 | |
크기/치수 | 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | |
높이 | 0.020"(0.50mm) | |
종단 개수 | 2 | |
표준 포장 | 5,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | RG2012N-2870-W-T5 | |
관련 링크 | RG2012N-28, RG2012N-2870-W-T5 데이터 시트, Susumu 에이전트 유통 |
C3225C0G2J153J160AA | 0.015µF 630V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1210(3225 미터법) 0.126" L x 0.098" W(3.20mm x 2.50mm) | C3225C0G2J153J160AA.pdf | ||
MA-505 36.0000M-C0 | 36MHz ±50ppm 수정 18pF 80옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, J-리드(Lead) | MA-505 36.0000M-C0.pdf | ||
VBT1045C-E3/8W | DIODE SCHOTTKY 10A 45V TO-263AB | VBT1045C-E3/8W.pdf | ||
4302R-271J | 270nH Unshielded Inductor 890mA 190 mOhm Max 2-SMD | 4302R-271J.pdf | ||
BCM5703CIKHB | BCM5703CIKHB BCM SMD or Through Hole | BCM5703CIKHB.pdf | ||
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LTC6104CMS8#TRPBF/I/H | LTC6104CMS8#TRPBF/I/H LT MSOP | LTC6104CMS8#TRPBF/I/H.pdf | ||
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D0469S | D0469S ORIGINAL SOP-16 | D0469S.pdf | ||
EXB28V180JE | EXB28V180JE PANASONIC SMD or Through Hole | EXB28V180JE.pdf | ||
MMBZ4699-V-GS08 | MMBZ4699-V-GS08 VIS SMD or Through Hole | MMBZ4699-V-GS08.pdf | ||
SFH610 A-3 | SFH610 A-3 VIS SMD or Through Hole | SFH610 A-3.pdf |