창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-RG1608N-3320-W-T5 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | RG Series | |
제품 교육 모듈 | Intro to Thin Film Chip Resistors Severe Environmental & Sulfur Resistant Chip | |
EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
종류 | 저항기 | |
제품군 | 칩 저항기 - 표면실장(SMD, SMT) | |
제조업체 | Susumu | |
계열 | RG | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | * | |
저항(옴) | 332 | |
허용 오차 | ±0.05% | |
전력(와트) | 0.1W, 1/10W | |
구성 | 박막 | |
특징 | 자동차 AEC-Q200 | |
온도 계수 | ±10ppm/°C | |
작동 온도 | -55°C ~ 155°C | |
패키지/케이스 | 0603(1608 미터법) | |
공급 장치 패키지 | 0603 | |
크기/치수 | 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | |
높이 | 0.020"(0.50mm) | |
종단 개수 | 2 | |
표준 포장 | 5,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | RG1608N-3320-W-T5 | |
관련 링크 | RG1608N-33, RG1608N-3320-W-T5 데이터 시트, Susumu 에이전트 유통 |
K563M10X7RF5TL2 | 0.056µF 50V 세라믹 커패시터 X7R 방사 0.142" L x 0.091" W(3.60mm x 2.30mm) | K563M10X7RF5TL2.pdf | ||
440LD22BR1A-R | 2200pF 760VAC 세라믹 커패시터 Y5U(E) 방사형, 디스크 0.429" Dia(10.90mm) | 440LD22BR1A-R.pdf | ||
VJ2225A561KBGAT4X | 560pF 1000V(1kV) 세라믹 커패시터 C0G, NP0 2225(5763 미터법) 0.226" L x 0.250" W(5.74mm x 6.35mm) | VJ2225A561KBGAT4X.pdf | ||
CMF50549K00FKEB | RES 549K OHM 1/4W 1% AXIAL | CMF50549K00FKEB.pdf | ||
MBR10200CT-1 | MBR10200CT-1 MHCHXM TO-262 | MBR10200CT-1.pdf | ||
FD-1080-BM | FD-1080-BM EC DIP44 | FD-1080-BM.pdf | ||
AM29F800T-120EC | AM29F800T-120EC AMD SMD or Through Hole | AM29F800T-120EC.pdf | ||
FP6327ASOPTR | FP6327ASOPTR FITIPOWER SOP | FP6327ASOPTR.pdf | ||
SSL0402T-4R7M-S | SSL0402T-4R7M-S ORIGINAL SMD | SSL0402T-4R7M-S.pdf | ||
BAS20 NOPB | BAS20 NOPB GE SOT23 | BAS20 NOPB.pdf | ||
BM09BSRSSTB | BM09BSRSSTB JST SMD or Through Hole | BM09BSRSSTB.pdf | ||
PC3SD11NVZA | PC3SD11NVZA SHARP DIP-6 | PC3SD11NVZA.pdf |