창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-RG1005V-2320-P-T1 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | RG Series | |
제품 교육 모듈 | Intro to Thin Film Chip Resistors Severe Environmental & Sulfur Resistant Chip | |
특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | Cert of RoHS Compliance | |
EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
종류 | 저항기 | |
제품군 | 칩 저항기 - 표면실장(SMD, SMT) | |
제조업체 | Susumu | |
계열 | RG | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | * | |
저항(옴) | 232 | |
허용 오차 | ±0.02% | |
전력(와트) | 0.063W, 1/16W | |
구성 | 박막 | |
특징 | 자동차 AEC-Q200 | |
온도 계수 | ±5ppm/°C | |
작동 온도 | -55°C ~ 155°C | |
패키지/케이스 | 0402(1005 미터법) | |
공급 장치 패키지 | 0402 | |
크기/치수 | 0.039" L x 0.020" W(1.00mm x 0.50mm) | |
높이 | 0.016"(0.40mm) | |
종단 개수 | 2 | |
표준 포장 | 1,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | RG1005V-2320-P-T1 | |
관련 링크 | RG1005V-23, RG1005V-2320-P-T1 데이터 시트, Susumu 에이전트 유통 |
![]() | AQ12EM0R2BAJME | 0.20pF 150V 세라믹 커패시터 M 0606(1616 미터법) 0.055" L x 0.055" W(1.40mm x 1.40mm) | AQ12EM0R2BAJME.pdf | |
![]() | 7448640404 | 22mH @ 10kHz 2 Line Common Mode Choke Through Hole 400mA DCR 1.61 Ohm (Typ) | 7448640404.pdf | |
![]() | 6110A08EU | 6110A08EU ORIGINAL QFN | 6110A08EU.pdf | |
![]() | TPIC6C596DRG4CT | TPIC6C596DRG4CT TI SMD or Through Hole | TPIC6C596DRG4CT.pdf | |
![]() | DS1705S | DS1705S DS SOP8 | DS1705S.pdf | |
![]() | FSP2200CAER | FSP2200CAER FSP SOT23-3 | FSP2200CAER.pdf | |
![]() | MAX6309UK28D3+T | MAX6309UK28D3+T MAXIM SOT23-5 | MAX6309UK28D3+T.pdf | |
![]() | RT8106AGQW | RT8106AGQW RICHTEK WDFN3x3-10 | RT8106AGQW.pdf | |
![]() | KSLI-201210CG-3R3 | KSLI-201210CG-3R3 HITACHI SMD or Through Hole | KSLI-201210CG-3R3.pdf | |
![]() | RN1964 (TE85R) | RN1964 (TE85R) TOSHIBA SOT-363 | RN1964 (TE85R).pdf | |
![]() | US18650VT 1S1P OTIS (SONY) | US18650VT 1S1P OTIS (SONY) BMZ Call | US18650VT 1S1P OTIS (SONY).pdf | |
![]() | S30EF02A | S30EF02A IR SMD or Through Hole | S30EF02A.pdf |