창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-RFP50N06 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | RFG50N06, RFP50N06, RF1S50N06SM TO220B03 Pkg Drawing | |
제품 교육 모듈 | High Voltage Switches for Power Processing SMPS Power Switch | |
EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
카탈로그 페이지 | 1600 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 50A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 22m옴 @ 50A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 150nC(20V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2020pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 131W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-220AB | |
표준 포장 | 50 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | RFP50N06 | |
관련 링크 | RFP5, RFP50N06 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 |
![]() | SM6T220AHE3/5B | TVS DIODE 188VWM 328VC SMB | SM6T220AHE3/5B.pdf | |
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![]() | 335J400V | 335J400V ORIGINAL SMD or Through Hole | 335J400V.pdf | |
![]() | HP0412 | HP0412 HEWLETT DIP-8 | HP0412.pdf | |
![]() | CNF20C221S | CNF20C221S ORIGINAL SMD or Through Hole | CNF20C221S.pdf | |
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![]() | PS-25G | PS-25G EMISTOP SMD or Through Hole | PS-25G.pdf |