홈 » 제품 카테고리 » 이산 소자 반도체 제품 » RF FET » RFM03U3CT(TE12L)

Toshiba Semiconductor and Storage RFM03U3CT(TE12L)

RFM03U3CT(TE12L)
제조업체 부품 번호
RFM03U3CT(TE12L)
제조업 자
제품 카테고리
RF FET
간단한 설명
MOSFET N-CH RF-CST3
데이터 시트 다운로드
다운로드
RFM03U3CT(TE12L) 가격 및 조달

가능 수량

11117 조각

배송 오늘

창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주

시장 가격
₩ 3,901.74700
우리의 가격
이메일로 견적

수량

 

EIS에는 RFM03U3CT(TE12L) 재고가 있습니다. 우리는 Toshiba Semiconductor and Storage 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 Toshiba Semiconductor and Storage 전자 부품 전문. RFM03U3CT(TE12L) 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. RFM03U3CT(TE12L)가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
RFM03U3CT(TE12L) 주문 프로세스
문의 양식에 추가
견적 요청
우리는 24 시간 이내에 회신
당신은 순서를 확인
지불
주문 발송
RFM03U3CT(TE12L) 매개 변수
내부 부품 번호EIS-RFM03U3CT(TE12L)
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서RFM03U3CT
종류이산 소자 반도체 제품
제품군RF FET
제조업체Toshiba Semiconductor and Storage
계열-
포장컷 테이프(CT)
부품 현황판매 중단
트랜지스터 유형N채널
주파수520MHz
이득14.8dB
전압 - 테스트3.6V
정격 전류3A
잡음 지수-
전류 - 테스트500mA
전력 - 출력3W
전압 - 정격16V
패키지/케이스2-SMD, 무연, 노출형 패드
공급 장치 패키지RF-CST3
표준 포장 1
다른 이름RFM03U3CT(TE12L)CT
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)RFM03U3CT(TE12L)
관련 링크RFM03U3CT, RFM03U3CT(TE12L) 데이터 시트, Toshiba Semiconductor and Storage 에이전트 유통
RFM03U3CT(TE12L) 의 관련 제품
4.7µF 10V 세라믹 커패시터 Y5V(F) 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) CL21F475ZPFNNNG.pdf
6.8µH Unshielded Molded Inductor 450mA 500 mOhm Max Axial 1537-32G.pdf
SN5492N INTEL BGA SN5492N.pdf
47151-0001 Molex SMD or Through Hole 47151-0001.pdf
CDH113NP-151K SUMIDA SMD or Through Hole CDH113NP-151K.pdf
RFW102 ORIGINAL SMD or Through Hole RFW102.pdf
THS4130CDGN ORIGINAL SMD or Through Hole THS4130CDGN.pdf
LK222-A AMI DIP LK222-A.pdf
BCR148 E6327(WE) SIEMENS SOT23 BCR148 E6327(WE).pdf
MCP23008-i/SO MICROCHIP SMD or Through Hole MCP23008-i/SO.pdf