창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-RF4E070BNTR | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | RF4E070BN | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Rohm Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 7A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 28.6m옴 @ 7A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 8.9nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 410pF @ 15V | |
전력 - 최대 | 2W | |
작동 온도 | 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-전력UDFN | |
공급 장치 패키지 | 6-HUML2020L8(2x2) | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | RF4E070BNTRTR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | RF4E070BNTR | |
관련 링크 | RF4E07, RF4E070BNTR 데이터 시트, Rohm Semiconductor 에이전트 유통 |
![]() | GCM1885C2A7R6DA16D | 7.6pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | GCM1885C2A7R6DA16D.pdf | |
![]() | MKP385420016JC02Z0 | 0.2µF Film Capacitor 110V 160V Polypropylene (PP), Metallized Radial 0.689" L x 0.197" W (17.50mm x 5.00mm) | MKP385420016JC02Z0.pdf | |
![]() | EPF10K50SFC4843 | EPF10K50SFC4843 ALTERA BGA | EPF10K50SFC4843.pdf | |
![]() | XC3164APQ160-2C | XC3164APQ160-2C XILINX SMD or Through Hole | XC3164APQ160-2C.pdf | |
![]() | 0550550509+ | 0550550509+ MOLEX SMD or Through Hole | 0550550509+.pdf | |
![]() | FSP3604CAD | FSP3604CAD FOSLINK SOT23-6 | FSP3604CAD.pdf | |
![]() | D44R8 | D44R8 FSC/ON/ST TO-220 | D44R8.pdf | |
![]() | MM54C175J/883 | MM54C175J/883 NSC CDIP | MM54C175J/883.pdf | |
![]() | RCA01J0001T | RCA01J0001T TRI RES | RCA01J0001T.pdf | |
![]() | 4350117 | 4350117 ALPS SMD or Through Hole | 4350117.pdf | |
![]() | 5-175639-0 | 5-175639-0 AMP SMD or Through Hole | 5-175639-0.pdf | |
![]() | BSR50 DZ | BSR50 DZ FAIRCHILD TO-92 | BSR50 DZ.pdf |