창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-RDX080N50FU6 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | RDX080N50 | |
주요제품 | MOSFET ECOMOS | |
카탈로그 페이지 | 1633 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Rohm Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 벌크 | |
부품 현황 | 새 설계에 권장하지 않음(NRND) | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 500V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 8A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 850m옴 @ 4A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 1mA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 28nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 920pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 40W | |
작동 온도 | 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 풀팩(Full Pack) | |
공급 장치 패키지 | TO-220FM | |
표준 포장 | 500 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | RDX080N50FU6 | |
관련 링크 | RDX080N, RDX080N50FU6 데이터 시트, Rohm Semiconductor 에이전트 유통 |
![]() | 445A35C30M00000 | 30MHz ±30ppm 수정 16pF 30옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 2-SMD | 445A35C30M00000.pdf | |
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![]() | 74LVC2G34GW TEL:82766440 | 74LVC2G34GW TEL:82766440 NXP SMD or Through Hole | 74LVC2G34GW TEL:82766440.pdf | |
![]() | MCH535F105ZP | MCH535F105ZP ROHM 1812 | MCH535F105ZP.pdf | |
![]() | XC2V40-3FG256CES | XC2V40-3FG256CES XILINX BGA | XC2V40-3FG256CES.pdf | |
![]() | MF55SS-1501F-A5 | MF55SS-1501F-A5 ASJ SMD or Through Hole | MF55SS-1501F-A5.pdf | |
![]() | KMM180VSSN820M22FE0 | KMM180VSSN820M22FE0 Chemi-con NA | KMM180VSSN820M22FE0.pdf | |
![]() | MTD2002G. | MTD2002G. SHIND SSOP-24 | MTD2002G..pdf | |
![]() | 170262-4 | 170262-4 TE SMD or Through Hole | 170262-4.pdf |