창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-RDN150N20FU6 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | RDN150N20 | |
| 주요제품 | MOSFET ECOMOS | |
| 카탈로그 페이지 | 1633 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Rohm Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 새 설계에 권장하지 않음(NRND) | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 200V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 15A(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 160m옴 @ 7.5A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 1mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 64nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1224pF @ 10V | |
| 전력 - 최대 | 40W | |
| 작동 온도 | 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 풀팩(Full Pack) | |
| 공급 장치 패키지 | TO-220FN | |
| 표준 포장 | 500 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | RDN150N20FU6 | |
| 관련 링크 | RDN150N, RDN150N20FU6 데이터 시트, Rohm Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | 8532R-23L | 68µH Unshielded Inductor 1.56A 145 mOhm Max Nonstandard | 8532R-23L.pdf | |
![]() | TNPW120636K5BEEA | RES SMD 36.5K OHM 0.1% 1/4W 1206 | TNPW120636K5BEEA.pdf | |
![]() | CMF551M2400FEEB | RES 1.24M OHM 1/2W 1% AXIAL | CMF551M2400FEEB.pdf | |
![]() | 400V183 (0.018UF) | 400V183 (0.018UF) ORIGINAL SMD or Through Hole | 400V183 (0.018UF).pdf | |
![]() | HV-020 | HV-020 ORIGINAL SMD or Through Hole | HV-020.pdf | |
![]() | B81141C1104M026 | B81141C1104M026 EPC SMD or Through Hole | B81141C1104M026.pdf | |
![]() | TL432GASF | TL432GASF HTC SOT23-3 | TL432GASF.pdf | |
![]() | 0840-S5688G-TPB5 | 0840-S5688G-TPB5 TOS SMD or Through Hole | 0840-S5688G-TPB5.pdf | |
![]() | NB2308AC3DG | NB2308AC3DG ON SMD or Through Hole | NB2308AC3DG.pdf | |
![]() | 8128L | 8128L UTC/ SOT-23TR | 8128L.pdf | |
![]() | M35075-059FP | M35075-059FP ORIGINAL SSOP-24 | M35075-059FP.pdf | |
![]() | SG636PCE-12.288MHZ | SG636PCE-12.288MHZ EPSON SMD or Through Hole | SG636PCE-12.288MHZ.pdf |