Rohm Semiconductor RDN100N20FU6

RDN100N20FU6
제조업체 부품 번호
RDN100N20FU6
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
간단한 설명
MOSFET N-CH 200V 10A TO-220FN
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내부 부품 번호EIS-RDN100N20FU6
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서RDN100N20
주요제품MOSFET ECOMOS
카탈로그 페이지 1633 (KR2011-KO PDF)
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체Rohm Semiconductor
계열-
포장벌크
부품 현황새 설계에 권장하지 않음(NRND)
FET 유형MOSFET N-Chan, 금속 산화물
FET 특징표준
드레인 - 소스 전압(Vdss)200V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C10A(Ta)
Rds On(최대) @ Id, Vgs360m옴 @ 5A, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)4V @ 1mA
게이트 전하(Qg) @ Vgs30nC(10V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds543pF @ 10V
전력 - 최대35W
작동 온도150°C(TJ)
실장 유형스루홀
패키지/케이스TO-220-3 풀팩(Full Pack)
공급 장치 패키지TO-220FN
표준 포장 500
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)RDN100N20FU6
관련 링크RDN100N, RDN100N20FU6 데이터 시트, Rohm Semiconductor 에이전트 유통
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