- RD9.1M-T1B(B2)

RD9.1M-T1B(B2)
제조업체 부품 번호
RD9.1M-T1B(B2)
제조업 자
-
제품 카테고리
다른 부분 - 2
간단한 설명
RD9.1M-T1B(B2) NEC SMD or Through Hole
데이터 시트 다운로드
다운로드
RD9.1M-T1B(B2) 가격 및 조달

가능 수량

118790 조각

배송 오늘


창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주

시장 가격
N/A
우리의 가격
이메일로 견적

수량

 

EIS에는 RD9.1M-T1B(B2) 재고가 있습니다. 우리는 - 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 - 전자 부품 전문. RD9.1M-T1B(B2) 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. RD9.1M-T1B(B2)가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
RD9.1M-T1B(B2) 주문 프로세스
문의 양식에 추가
견적 요청
우리는 24 시간 이내에 회신
당신은 순서를 확인
지불
주문 발송
RD9.1M-T1B(B2) 매개 변수
내부 부품 번호EIS-RD9.1M-T1B(B2)
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
시리즈RD9.1M-T1B(B2)
EDA/CAD 모델-
종류전자 부품
공차-
풍모-
작동 온도-
정격 전압-
정격 전류-
최종 제품-
포장 종류SMD or Through Hole
무게0.001 KG
대체 부품 (교체) RD9.1M-T1B(B2)
관련 링크RD9.1M-T, RD9.1M-T1B(B2) 데이터 시트, - 에이전트 유통
RD9.1M-T1B(B2) 의 관련 제품
100pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) C1608C0G1H101F080AA.pdf
56pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.032" W(1.60mm x 0.81mm) 06031A560FA12A.pdf
2.3MHz ~ 170MHz CMOS MEMS (Silicon) Programmable Oscillator Surface Mount 2.25 V ~ 3.6 V 35mA Enable/Disable ASVMPC-BLANK-XR-T.pdf
20nH Unshielded Multilayer Inductor 150mA 1.9 Ohm Max 0201 (0603 Metric) MLG0603P20NJT000.pdf
6257C ORIGINAL MSOP-8 6257C.pdf
2B05-PR03 AGILENT BGA 2B05-PR03.pdf
PS4506 NEC DIP-4p PS4506.pdf
TA-6R3TCMS680M-B2R TOSHIBA SOT-235 TA-6R3TCMS680M-B2R.pdf
CS82C59-10 CS SMD or Through Hole CS82C59-10.pdf
KS-21351L3(L-33-67) jbm DIP-14 15 Tube KS-21351L3(L-33-67).pdf
LH0004H-MTL NS CAN10 LH0004H-MTL.pdf