창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-RCX081N20 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | RCX081N20 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Rohm Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 벌크 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 200V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 8A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 770m옴 @ 4A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5.25V @ 1mA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 8.5nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 330pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 2.23W | |
작동 온도 | 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 풀팩(Full Pack) | |
공급 장치 패키지 | TO-220FM | |
표준 포장 | 500 | |
다른 이름 | RCX081N20CT RCX081N20CT-ND | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | RCX081N20 | |
관련 링크 | RCX08, RCX081N20 데이터 시트, Rohm Semiconductor 에이전트 유통 |
![]() | MVA10VC331MH10TP | 330µF 10V Aluminum Capacitors Radial, Can - SMD 1.507 Ohm 2000 Hrs @ 85°C | MVA10VC331MH10TP.pdf | |
![]() | GRM1885C1H820JA01D | 82pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | GRM1885C1H820JA01D.pdf | |
![]() | 04023U6R2DAT2A | 6.2pF 25V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0402(1005 미터법) 0.039" L x 0.020" W(1.00mm x 0.50mm) | 04023U6R2DAT2A.pdf | |
![]() | TC-7.3728MDE-T | 7.3728MHz CMOS MEMS (Silicon) Oscillator Surface Mount 1.8V Enable/Disable | TC-7.3728MDE-T.pdf | |
![]() | AD60003RS24XRL7 | AD60003RS24XRL7 AD SSOP | AD60003RS24XRL7.pdf | |
![]() | LM2575T-3.3G | LM2575T-3.3G ON TO-220 | LM2575T-3.3G.pdf | |
![]() | 1102T-3 | 1102T-3 ORIGINAL SMD5MM | 1102T-3.pdf | |
![]() | 514405bj-60 | 514405bj-60 ORIGINAL soj | 514405bj-60.pdf | |
![]() | K6F4016R4G-EF85 | K6F4016R4G-EF85 SAMSUNG BGA | K6F4016R4G-EF85.pdf | |
![]() | 1N5342B(6.8V) | 1N5342B(6.8V) EIC/ON DIP-2 | 1N5342B(6.8V).pdf | |
![]() | NTB10100CT | NTB10100CT ON TO-263 | NTB10100CT.pdf |