창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-RCX081N20 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | RCX081N20 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Rohm Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 200V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 8A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 770m옴 @ 4A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5.25V @ 1mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 8.5nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 330pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 2.23W | |
| 작동 온도 | 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 풀팩(Full Pack) | |
| 공급 장치 패키지 | TO-220FM | |
| 표준 포장 | 500 | |
| 다른 이름 | RCX081N20CT RCX081N20CT-ND | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | RCX081N20 | |
| 관련 링크 | RCX08, RCX081N20 데이터 시트, Rohm Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | MCS04020C7502FE000 | RES SMD 75K OHM 1% 1/10W 0402 | MCS04020C7502FE000.pdf | |
![]() | MJ1473FE-R52 | RES 147K OHM 1/8W 1% AXIAL | MJ1473FE-R52.pdf | |
![]() | 310000030255 | HERMETIC THERMOSTAT | 310000030255.pdf | |
![]() | 88E6095F-LGO1 | 88E6095F-LGO1 MARVELL QFP | 88E6095F-LGO1.pdf | |
![]() | KUDC10HS | KUDC10HS OTAX SMD or Through Hole | KUDC10HS.pdf | |
![]() | SN75LVDM976 | SN75LVDM976 TI TSSOP | SN75LVDM976.pdf | |
![]() | SK6-0J226M-RA | SK6-0J226M-RA ELNA J226 | SK6-0J226M-RA.pdf | |
![]() | 086212007340800A-7P | 086212007340800A-7P ORIGINAL PCS | 086212007340800A-7P.pdf | |
![]() | CUPV10201APPRBS415 | CUPV10201APPRBS415 GICLARE DIP4 | CUPV10201APPRBS415.pdf | |
![]() | YW1B-M4E11G | YW1B-M4E11G ORIGINAL SMD or Through Hole | YW1B-M4E11G.pdf | |
![]() | PEB2091N V4.4 | PEB2091N V4.4 SIEMENS PLCC44 | PEB2091N V4.4.pdf | |
![]() | LLQ2G681MHSC | LLQ2G681MHSC NICHICON DIP | LLQ2G681MHSC.pdf |